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的PSoC
3 ： CY8C32系列
数据表
11.5模拟外设
规格适用于-40°C
T
A
85° C和T
J
100 ° C，除非另有说明。规范的适用条件是1.71 V至5.5 V ，
除非另有说明。
11.5.1 Δ-Σ ADC
除非另有说明，操作条件是：
操作连续采样模式
FCLK = 6.144兆赫
参考= 1.024 V内部基准电压旁路的P3.2和P0.3
除非另有说明，所有图表和图形显示的典型值
表11-18 。 12位Δ-Σ ADC直流规范
参数
决议
通道数，单端
信道数，差动
单调
Ge
Gd
VOS
TCVOS
增益误差
增益漂移
输入失调电压
温度系数，输入偏移
电压
输入电压范围，单端
[37]
输入电压范围宽，差分unbuf-
fered
[37]
输入电压范围，差分
缓冲
[37]
积分非线性度
[37]
差分非线性度
[37]
积分非线性度
[37]
差分非线性度
[37]
ADC输入电阻
使用形成差分对
对的GPIO 。
是的
缓冲，缓冲器增益= 1 ，范围=
± 1.024 V ，25°C
缓冲，缓冲器增益= 1 ，范围=
±1.024 V
缓冲，12位模式下， V
DDA
= 2.7 V,
25 °C
缓冲器增益= 1时， 12位，
范围= ± 1.024 V
描述
条件
民
8
–
–
–
–
–
–
–
V
SSA
V
SSA
V
SSA
范围= ± 1.024 V，无缓冲
范围= ± 1.024 V，无缓冲
范围= ± 1.024 V，无缓冲
范围= ± 1.024 V，无缓冲
输入缓冲区使用
绕过输入缓冲器， 12位，
范围= ± 1.024 V
–
–
–
–
10
–
0.9
典型值
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
148
[38]
–
最大
12
数
GPIO
数
GPIO/2
–
±0.2
50
±0.1
0.55
V
DDA
V
DDA
V
DDA
– 1
±1
±1
±1
±1
–
–
1.3
单位
位
–
–
–
%
PPM /°C的
mV
μV/°C
V
V
V
最低位
最低位
最低位
最低位
M
k
V
INL12
DNL12
INL8
DNL8
Rin_Buff
Rin_ADC12 ADC输入电阻
Vextref
ADC的外部基准输入电压，看
在还内参
电压
引脚P0 [3] ，P3 [2]
参考
82页
消耗电流
I
DD_12
电流消耗， 12位
[37]
192 ksps的，无缓冲
[37]
I
BUFF
缓冲器的电流消耗
–
–
–
–
1.4
2.5
mA
mA
笔记
37.基于器件特性（未经过生产测试） 。
38.通过使用开关电容在创建一个有效的输入电阻的ADC输入。保持增益和比特恒定的数目，电阻成正比
于时钟频率的倒数。该值被计算，不进行测量。欲了解更多信息，请参见技术参考手册。
文件编号： 001-56955修订版* N
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