的PSoC
3 ： CY8C32系列
数据表
5.内存
5.1静态RAM
CY8C32静态RAM（SRAM） ，用于临时数据存储。
多达8 KB的SRAM被提供，并且可以由被访问
8051或DMA控制器。看
存储器映射
第24页。
的SRAM由8051和DMA同时访问
控制器是可能的，如果不同的4 KB的块访问。
通过引导加载程序代码需要更新，然后使用领域
升级设置。只有当不使用未受保护的设置
安全性是需要在应用程序中。 PSoC器件还
提供了一项名为器件安全性的高级安全功能，
永久禁用所有测试，编程和调试端口，
保护您的应用程序从外部访问（见
“设备安全”
第62页部分） 。欲了解更多信息
关于如何利用的安全功能充分利用在
的PSoC ，请参见PSoC 3 TRM 。
表5-1 。 Flash保护
保护
环境
无保护
工厂
升级
允许
外部读取和写入 -
+内部读取和写入
写入外部+内部
读取和写入
外部读
外部读取和
写
外部读取和
写+内部写
不允许
5.2闪存程序存储器
在PSoC器件的Flash内存提供非易失性存储
用户固件，用户配置数据，批量数据存储，并
可选ECC数据。主要的闪存区包含多达
64 KB的用户程序空间。
可额外8 KB闪存空间可用于错误
纠错码（ ECC ） 。如果未使用ECC，这个空间可以存放
设备配置数据和批量用户数据。用户代码可能不
被耗尽的ECC闪速存储器部分的。 ECC可以纠正
一个比特错误和检测每8个字节的固件2比特错误
内存;中断可以在一个错误的产生
检测到。
该CPU通过读取缓存位于闪光灯指令
控制器。这提高了指令执行速度，并降低
系统功耗，要求不那么频繁闪
访问。高速缓冲存储器有8行，每行64个字节，总共
512字节。它是完全关联的，自动控制闪光
功率，并且可以启用或禁用。如果ECC使能，
高速缓冲存储器控制器还执行的错误检查和校正，
和中断产生。
闪存编程是通过一种特殊的接口来执行，
抢占代码执行了闪光灯。闪存编程
接口执行闪存擦除，编程，并设置代码
保护级别。 Flash在系统串行编程（ ISSP ）
通常用于生产编程，有可能通过
无论是SWD和JTAG接口。在系统编程，
通常用于引导加载，也可以用串行
如I接口
2
C， USB，UART和SPI ，或任何
通信协议。
现场升级的内部读写
充分保护内部阅读
放弃
需要注意的闪存代码下面的详细信息保护功能的
赛普拉斯设备。
赛普拉斯的产品均满足规范的
赛普拉斯数据表。赛普拉斯认为其家庭
产品是同类产品中的最安全的家庭之一
今天的市场，不管它们是如何使用的。有可能是
方法，默默无闻地龙柏，能够破坏代码
保护功能。任何这些方法，就我们所知，
将恶意，甚至是非法的。无论是赛普拉斯，任何
其他半导体厂商均无法保证安全
他们的代码。代码保护并不意味着我们
保证产品是“牢不可破”的。
赛普拉斯愿与客户合作谁关注
关于其代码的完整性。代码保护功能处于持续
不断发展的。我们在赛普拉斯致力于不断
改进产品的代码保护功能。
5.3闪存安全
所有的PSoC器件还包括一个灵活的闪存保护模型
防止片上闪存存储器存取和知名度。这
防止重复或专有代码的逆向工程。
闪速存储器被组织成块，其中每个块包含
256字节的程序或数据，并且32个字节的ECC或
配置数据。总共有多达256块设置在
64 KB的闪存器件。
该器件提供分配四个保障之一的能力
水平的闪光的每一行。
表5-1
列出了保护模式
可用。闪存保护级别，只能通过改变
执行一个完整的闪存擦除。充分保护和现场
升级设置禁止外部访问（通过调试
工具如PSoC Creator中，例如） 。如果您的应用程序
5.4 EEPROM
的PSoC EEPROM存储器是按字节寻址的非易失性
内存。该CY8C32提供了高达2 KB的EEPROM存储器
存储用户数据。从EEPROM中读取是在随机访问
字节级。读是直接完成;写操作通过发送完成
写命令到EEPROM编程接口。中央处理器
执行代码可以从闪存继续在EEPROM中写道。
EEPROM的擦除和写入的行级。该
EEPROM被分成128个行，每行16个字节。
该CPU不能在EEPROM中执行。没有ECC
与EEPROM的硬件相关联。如果需要ECC，必须
在固件进行处理。
文件编号： 001-56955修订版* N
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