CY7C1470V25

CY7C1472V25

CY7C1474V25

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（续）

文档标题： CY7C1470V25 / CY7C1472V25 / CY7C1474V25 ， 72兆位（2M × 36/4为M× 18/1米× 72 ）流水线SRAM与

NOBL 架构

文件编号： 38-05290

启示录

*E

ECN号

299511

发行日期

见ECN

原稿。的

变化

SYT

变化的说明

更新

特点

（删除了225 MHz的频率相关的信息和

包括250 MHz的频率相关的信息） 。

更新

选购指南

（删除了225 MHz的频率相关的信息和

包括250 MHz的频率相关的信息） 。

更新

电气特性

（删除了225 MHz的频率有关

信息，其中包括250 MHz的频率相关的信息） 。

更新

热阻

（改变的值

JA

从16.8

° C / W

to

24.63

° C / W ，

和更改后的值

JC

从3.3

° C / W

至2.28

° C / W

100针

TQFP封装） 。

更新

开关特性

（删除了225 MHz的频率有关

信息和包含250兆赫频率的相关信息，改变

吨的最小值

CYC

从4.4 ns至4.0纳秒为250 MHz的频率） 。

更新

订购信息

（更新部件编号（去掉225兆赫

频率相关的信息，其中包括250 MHz的频率有关

信息，增加了无铅信息100引脚TQFP封装， 165球

FBGA封装） ，加入“无铅封装BG可用性”下面的评论

订购信息） 。

更新

部分真值表进行读/写

（更正错字部分号码） 。

更新

IEEE 1149.1串行边界扫描（ JTAG ）

（部分更正错字

数字）。

更新

订购信息

（在零件号的改变，去掉注释

下面的订购信息“无铅BG包的可用性”）。

更新

销刀豆网络gurations

（地址扩展针脚/球在引脚全部

包被修改为根据JEDEC标准） 。

更新

引脚德网络nitions

（由地址扩展插针） 。

更新

工作范围

（由工业级温度范围） 。

更新

电气特性

五世（更新测试条件

OL

, V

OH

参数）。

更新

订购信息

（更新部件号） 。

改变现状，从初步到最后。

赛普拉斯半导体公司从“ 3901北一已更改地址

一条街“到” 198冠军苑“ 。

更新

电气特性

（更新注意事项

20

（改变V

DDQ

＆ LT ; V

DD

to

V

DDQ

＆ LT ; V

DD

） ，改变了我的描述

X

从输入负载电流参数

除ZZ和MODE键，输入漏电流除ZZ和模式，改变了

我最小值

X

参数（对应模式的输入电流

（输入= V

SS

） ） -5 μA至-30 μA ，改变了我最大的价值

X

参数

（对应模式的输入电流（输入= V

DD

） ）从30 μA至5 μA ，

我改变的最小值

X

参数（相当于ZZ的输入电流

（输入= V

SS

） ） -30 μA至-5 μA ，改变了我最大的价值

X

参数

（对应的ZZ （输入= V输入电流

DD

） ）5 μA至30 μA ） 。

更新

订购信息

（ （更新部件号） ，更换包装名称

在订货信息表，包图列） 。

在更换整个文档中的所有实例三态与三态。

更新

销刀豆网络gurations

（更新

科幻gure 3

（更正球名称H9

从V

SSQ

到V

SS

).

更新

TAP交流开关特性

的t （更改最小值

TH

, t

TL

从25 ns至20 ns的参数改变吨的最大值

TDOV

参数

从5 ns至10 ns的） 。

更新

最大额定值

（由最大额定电源电压的V

DDQ

相对于GND） 。

更新

订购信息

（更新部件号） 。

*F

320197

见ECN

PCI

*G

331513

见ECN

PCI

*H

416221

见ECN

RXU

*I

472335

见ECN

VKN

文件编号： 38-05290牧师*○

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