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CY7C1440AV33
真值表
对于CY7C1440AV33真值表如下。
[2, 3, 4, 5, 6, 7]
手术
DESELECT周期，掉电
DESELECT周期，掉电
DESELECT周期，掉电
DESELECT周期，掉电
DESELECT周期，掉电
休眠模式下，掉电
读周期，开始突发
读周期，开始突发
写周期，开始突发
读周期，开始突发
读周期，开始突发
读周期，继续突发
读周期，继续突发
读周期，继续突发
读周期，继续突发
写周期，继续突发
写周期，继续突发
读周期，暂停突发
读周期，暂停突发
读周期，暂停突发
读周期，暂停突发
写周期，暂停突发
写周期，暂停突发
添加。二手CE
1
CE
2
CE
3
ZZ
无
无
无
无
无
无
外
外
外
外
外
NEXT
NEXT
NEXT
NEXT
NEXT
NEXT
当前
当前
当前
当前
当前
当前
H
L
L
L
L
X
L
L
L
L
L
X
X
H
H
X
H
X
X
H
H
X
H
X
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X
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X
X
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H
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H
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X
X
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X
X
X
X
H
X
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X
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L
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L
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
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L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
ADSP
X
L
L
H
H
X
L
L
H
H
H
H
H
X
X
H
X
H
H
X
X
H
X
ADSC ADV写OE CLK
L
X
X
L
L
X
X
X
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
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L
L
L
L
L
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H
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H
H
H
X
X
X
X
X
X
X
X
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L
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X
X
X
X
X
L
H
X
L
H
L
H
L
H
X
X
L
H
L
H
X
X
DQ
L-H三州
L-H三州
L-H三州
L-H三州
L-H三州
X
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
三州
Q
D
Q
Q
Q
D
D
Q
Q
D
D
L-H三州
L-H三州
L-H三州
L-H三州
L-H三州
L-H三州
笔记
2. X = “不在乎。 ”H =逻辑高电平，L =逻辑低电平。
3.写= L时，任何一个或多个字节写使能信号， BWE = L或GW = L WRITE = H ，当所有字节写使能信号， BWE ， GW = H。
4. DQ管脚由当前周期和所述参考信号的控制。 OE是异步的，并且不采样的时钟。
5. CE
1
，CE
2
和CE
3
只适用于TQFP封装。 BGA封装只有2片选CE
1
和CE
2
.
6. SRAM总是启动时ADSP是断言一个读周期，无论GW ， BWE ，或BW的状态
X
。写入只能在以后的后续时钟发生
ADSP或与ADSC的断言。其结果是，参考必须的写周期开始，以使输出为三态之前，驱动为高电平。 OE是一个不关心
在写周期的其余部分。
7. OE是异步的，并且不采样与时钟的上升。它是在写周期内屏蔽。在读周期中的所有数据位三态，当OE是无效的
或当取消选择器件，并且所有的数据位表现为输出时OE为有效（低电平） 。
文件编号： 38-05383牧师* K
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