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CY7C1440AV33
最大额定值
超出最大额定值可能会缩短的使用寿命
装置。用户指导未经过测试。
存储温度................................ -65 ° C至+150°C
环境温度与
电源采用.......................................... -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
DD
相对于GND .......- 0.3 V至4.6 V
在V电源电压
DDQ
相对于GND ...... -0.3 V至+ V
DD
直流电压应用到输出的
三态..........................................- 0.5 V至V
DDQ
+ 0.5 V
直流输入电压................................. -0.5 V到V
DD
+ 0.5 V
目前进入输出（ LOW ） ........................................ 20毫安
静电放电电压
（每MIL -STD -883方法3015 ） .......................... > 2001年V
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+85°C
V
DD
3.3 V– 5% /
+ 10%
V
DDQ
2.5 V – 5%
到V
DD
电气特性
在整个工作范围
参数
[17, 18]
V
DD
V
DDQ
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
X
描述
电源电压
I / O电源电压
输出高电压
输出低电压
输入高电压
[17]
输入低电压
[17]
对于3.3 V的I / O
对于2.5 V的I / O
对于3.3 V的I / O，I
OH
= 4.0毫安
对于2.5 V的I / O，I
OH
= 1.0毫安
对于3.3 V的I / O，I
OL
= 8.0毫安
对于2.5 V的I / O，I
OL
= 1.0毫安
对于3.3 V的I / O
对于2.5 V的I / O
对于3.3 V的I / O
对于2.5 V的I / O
输入漏电流除ZZ GND
V
I
V
DDQ
和MODE
模式的输入电流
ZZ的输入电流
I
OZ
I
DD
输出漏电流
V
DD
工作电源电流
输入= V
SS
输入= V
DD
输入= V
SS
输入= V
DD
GND
V
I
V
DDQ ，
输出禁用
V
DD
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
CYC
4纳秒的周期，
250兆赫
6 ns的周期，
167兆赫
I
SB1
I
SB2
CE自动断电
电流 - TTL输入
CE自动断电
电流 - CMOS输入
V
DD
=最大，设备选中，
V
IN
V
IH
或V
IN
V
IL
,
f = f
最大
= 1/t
CYC
所有速度
测试条件
民
3.135
3.135
2.375
2.4
2.0
–
–
2.0
1.7
–0.3
–0.3
–5
–30
–
–5
–
–5
–
–
–
最大
3.6
V
DD
2.625
–
–
0.4
0.4
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
0.8
0.7
5
–
5
–
30
5
475
375
225
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
mA
mA
mA
V
DD
=最大，设备取消，所有速度
V
IN
0.3 V或V
IN
＆ GT ; V
DDQ
– 0.3 V,
f=0
–
120
mA
笔记
17.过冲： V
IH （AC）的
＆ LT ; V
DD
+ 1.5 V（脉冲宽度小于T
CYC
/ 2 ） ，下冲： V
白细胞介素（AC）的
> -2 V （脉冲宽度小于T
CYC
/2).
18. T
上电
：假设从0 V线性上升到V
DD （ MIN ）
在200 ms以内。在这段时间V
IH
＆ LT ; V
DD
和V
DDQ
V
DD
.
文件编号： 38-05383牧师* K
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