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CY7C1386D
CY7C1387D
18兆位（ 512K的× 36/1米× 18 ）流水线
DCD同步SRAM
18兆位（ 512K的× 36/1米× 18 ）流水线DCD同步SRAM
特点
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功能说明
该
CY7C1386D/CY7C1387D
SRAM
集成
有512K × 36/1为M× 18的SRAM单元有先进的同步
外围电路和一个2位计数器，对内部突发
操作。所有同步输入是通过寄存器门
由上升沿触发的控制输入时钟（CLK ） 。该
同步输入包括所有地址，所有的数据输入，
地址流水线芯片使能（ CE
1
） ，深度扩展芯片
启用（ CE
2
和CE
3
） ，突发控制输入（ ADSC ， ADSP和
ADV ） ，写入启用（ BW
X
和BWE ）和全局写（ GW ） 。
异步输入包括输出使能（ OE ）和ZZ
引脚。
地址和芯片使注册在上升沿
时钟时，无论是地址选通处理器（ ADSP ）或地址
频闪控制器（ ADSC ）是活动的。随后爆
地址可以被内部产生由作为控制
提前销（ ADV ） 。
地址，数据输入，并写入控制记录片
启动自定时写cycle.This部分支持字节写
行动（见
第5页上的引脚配置
和
真值表上
第10页
对于进一步的细节） 。写周期可以包含一到四个字节
宽字节写控制输入的控制。 GW活跃
低导致要写入的所有字节。该器件集成了一个
额外的流水线使能寄存器可以延迟关闭
输出缓冲器的附加周期时，取消是
executed.This功能允许深度扩展，而不处罚
系统的性能。
该CY7C1386D / CY7C1387D从+ 3.3V的核心运行
电源同时所有输出与+ 3.3V或+ 2.5V工作
供应量。所有输入和输出都符合JEDEC标准，
JESD8-5-compatible.
支持总线运行在高达200 MHz的
可用速度等级是200 ，和167 MHz的
注册的输入和输出的流水线操作
最佳性能（双循环取消选择）
深度扩展无等待状态
3.3 V内核电源（V
DD
)
2.5 V或3.3 V的I / O电源（V
DDQ ）
快时钟到输出时间
3纳秒（ 200 MHz器件）
提供高性能3-1-1-1接入速率
用户可选的突发计数器支持Intel
奔腾
交错式或线性突发序列
独立的处理器和控制器地址选通
同步自定时写
异步输出使能
CY7C1386D在JEDEC标准的无铅100引脚可用
TQFP 。 CY7C1387D在JEDEC标准的无铅可用
100引脚TQFP和非无铅165球BGA封装
IEEE 1149.1 JTAG兼容的边界扫描
ZZ睡眠模式选项
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选购指南
描述
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
200兆赫
3.0
300
70
167兆赫
3.4
275
70
单位
ns
mA
mA
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05545牧师*
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2012年7月24日
