Si7909DN
新产品
Vishay Siliconix公司
双P通道12 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
()
0.037 @ V
GS
= –4.5 V
–12
0.048 @ V
GS
= –2.5 V
0.068 @ V
GS
= –1.8 V
I
D
(A)
–7.7
–6.8
–5.7
特点
TrenchFET
功率MOSFET ： 1.8 V额定
新的低热阻的PowerPAK
包
先进的高密度工艺
超低R
DS （ ON）
和高P
D
能力
无铅
可用的
RoHS指令*
柔顺
应用
负荷开关
PA的开关
电池开关
双向开关
S
1
S
2
的PowerPAK 1212-8
3.30 mm
S1
1
2
3.30 mm
G1
S2
3
4
D1
G2
G
1
G
2
8
7
D1
D2
6
5
D2
底部视图
D
1
P沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
订货信息：
Si7909DN-T1
Si7909DN -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
绝对最大额定值
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150°C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
B，C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
–12
±8
–7.7
–5.5
–20
–2.3
2.8
1.5
-55到150
260
–1.1
1.3
0.85
–5.3
–3.8
稳定状态
单位
V
A
W
°C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
t
≤
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
典型
35
75
4
最大
44
94
5
单位
° C / W
最大结到外壳
R
thJC
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。见焊接温度曲线（
http://www.vishay.com/ppg?73257
） 。采用PowerPAK 1212-8是一种无引线封装。引线端子的端部露出
铜（未镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜提示不能得到保证，并
不要求保证足够的底侧的焊料互连。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 71996
S- 51210 -REV 。 C， 27军， 05
www.vishay.com
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