复合晶体管
XN04401
(XN4401)
PNP硅外延平面型
单位：mm
对于一般的放大
■
特点
两个元素合并到一个包
由一个半减少安装面积和装配成本的
4
2.90
+0.20
–0.05
1.9
±0.1
(0.95) (0.95)
5
6
0.16
+0.10
–0.06
1.50
+0.25
–0.05
2.8
+0.2
–0.3
3
2
1
0.30
+0.10
–0.05
■
基本型号
2SB0709A （ 2SB709A ）
×
2
0.50
+0.10
–0.05
10
1.1
+0.2
–0.1
(0.65)
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
峰值集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
T
T
j
T
英镑
等级
60
50
7
100
200
300
150
55
to
+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
1 ：收藏家（ Tr1的）
2 ：基地（ TR2）
3 ：发射器（ TR2）
EIAJ ： SC- 74
0-0.1
标记符号： 5K
内部连接
4
5
6
Tr2
1.1
+0.3
–0.1
4 ：收藏家（ TR2）
5 ：基地（ Tr1的）
6 ：发射器（ Tr1的）
Mini6 -G1封装
Tr1
3
2
1
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
集电极 - 发射极截止电流（基地开）
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
（共同的基础，输入开路）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
首席执行官
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
条件
I
C
= 10 A,
I
E
=
0
I
C
= 2
妈，我
B
=
0
I
E
= 10 A,
I
C
=
0
V
CB
= 20
V，I
E
=
0
V
CE
= 10
V，I
B
=
0
V
CE
= 10
V，I
C
= 2
mA
I
C
= 100
妈，我
B
= 10
mA
V
CB
= 10
V，I
E
=
1毫安，女
=
200兆赫
V
CB
= 10
V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
160
0.3
80
2.7
民
60
50
7
0.1
100
460
0.5
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
注）的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
注）括号中的部分数字表示以往的零件号。
出版日期： 2004年2月
SJJ00071BED
0.4
±0.2
5
1
