电气特性
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
DR
1
f
T
民
50
50
5
100
-30
典型值
250
250
民
0.5
0.5
0.3
0.5
0.5
最大
0.5
0.5
0.3
600
+30
典型值
1.1
1.1
1.1
1.9
1.9
--
--
1.9
单位
V
V
V
mA
mA
V
%
兆赫
最大
单位
测试条件
I
C
= 50毫安
I
C
= 1毫安
I
E
= 50毫安
V
CB
= 50V
V
EB
= 4V
I
C
/I
B
= 2.5毫安/ 0.25毫安
I
C
/I
B
= 1毫安/ 0.1毫安
V
CE
= 10V ，我
E
= -5mA中，f = 100MHz的
测试条件
DDC143TK
DDC114TK
新产品
特性（ DDC143TK & DDC114TK只）
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
输入电阻（R
1
）公差
增益带宽积*
特征
DDC124EK
DDC144EK
DDC114YK
DDC123JK
DDC114EK
DDC124EK
DDC144EK
DDC114YK
DDC123JK
DDC114EK
DDC124EK
DDC144EK
DDC114YK
DDC123JK
DDC114EK
DDC124EK
DDC144EK
DDC114YK
DDC123JK
DDC114EK
DDC124EK
DDC144EK
DDC114YK
DDC123JK
DDC114EK
I
C
= 1mA时， V
CE
= 5V
符号
V
L（关闭）
V
V
CC
= 5V ，我
O
= 100毫安
输入电压
V
L（上）
3.0
3.0
1.4
1.1
3.0
V
O
= 0.3, I
O
= 5毫安
V
O
= 0.3, I
O
= 2毫安
V
O
= 0.3, I
O
= 1毫安
V
O
= 0.3, I
O
= 5毫安
V
O
= 0.3, I
O
= 10毫安
I
O
/I
l
= 10毫安/ 0.5毫安
I
O
/I
l
= 10毫安/ 0.5毫安
I
O
/I
l
= 5毫安/ 0.25毫安
I
O
/I
l
= 5毫安/ 0.25毫安
I
O
/I
l
= 10毫安/ 0.5毫安
输出电压
V
O（上）
0.1
0.3
V
输入电流
I
l
56
68
68
80
30
-30
-20
250
0.36
0.18
0.88
3.6
0.88
0.5
mA
V
I
= 5V
输出电流
I
O（关）
mA
V
CC
= 50V, V
I
= 0V
V
O
= 5V ，我
O
= 5毫安
V
O
= 5V ，我
O
= 5毫安
V
O
= 5V ，我
O
= 10毫安
V
O
= 5V ，我
O
= 10毫安
V
O
= 5V ，我
O
= 5毫安
V
CE
= 10V ，我
E
= 5毫安，
F = 100MHz的
直流电流增益
G
l
DR
1
R
2
/R
1
f
T
输入电阻（R
1
）公差
电阻率误差
增益带宽积*
*晶体管 - 仅供参考
+30
+20
%
%
兆赫
DS30348修订版2 - 2
2 5
DDC （ XXXX ）K
