飞利浦半导体
产品speci fi cation
双路2输入或非门
特点
宽电源电压范围为2.0 6.0 V
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
低功耗
平衡传输延迟
非常小的8引脚封装
输出能力为标准
ESD保护：
HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
从指定的
40
+85
°C
和
40
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
6.0纳秒。
描述
74HC2G02 ; 74HCT2G02
该74HC2G / HCT2G02是一个高速硅栅的CMOS
装置。
该74HC2G / HCT2G02提供二输入NOR
功能。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总负荷开关量输出;
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和。
2.对于74HC2G02的条件为V
I
= GND到V
CC
.
对于74HCT2G02的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V.
参数
传播延迟呐， NB到纽约
输入电容
每门功耗电容注1和2
条件
HC2G02
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
9
1.5
10
HCT2G02
12
1.5
10
ns
pF
pF
单位
2003 5月14日
2
