LTC4253/LTC4253A
应用信息
POWER GOOD测序
初始定时器周期后，门加速到打开
外部MOSFET从而拉漏低。
当GATE内的V 2.8V
IN
和漏极低于
V
DRnL
，电源良好序列的开始
PWRGD1
上拉
荷兰国际集团的活性低。这关开始就SQTIMER一个5μA的上拉
销可缓慢上升，直到它达到4V阈值，则
拉低。当SQTIMER引脚悬空，这个延时T
SQT
is
约300μS 。连接外接电容C
SQ
从
SQTIMER到V
EE
修改延迟：
4V
SQ
t
SQT
=
5μA
(5)
–t
R C
V
SS
(t)
≈
V
SS
1 e
SS SS
(6)
一个内部电阻分压器（ 95K / 5K的LTC4253和
47.5k / 2.5K的LTC4253A ）秤V
SS
（ T）下跌了20
次，得到的模拟电流限制阈值：
V
ACL
(t)
=
V
SS
(t)
– V
OS
20
(7)
PWRGD2
声称当EN2变高，
PWRGD1
有
置为大于1吨
SQT
。当
PWRGD2
Suc-
功地拉低， SQTIMER坡道上的另一个延迟
周期。
PWRGD3
断言当EN2和EN3去高
PWRGD2
已经断言超过1吨
SQT
.
所有这三个
PWRGD
信号复位UVLO ，在紫外光条件
化，如果复位是高还是当C
T
收费高达4V 。在
此外，
PWRGD2
由EN2复位变低。
PWRGD3
is
通过EN2或EN3变为低电平复位。过压条件
对没有影响
PWRGD
标志。一个50μA电流拉
每
PWRGD
引脚为高电平时复位。功率模块
常见的信号有不同
PWRGD ，
光电隔离
值得推荐。这三个引脚可以吸收的optodiode
电流。图17示出的NPN构造的
PWRGD
界面。一个限流电阻基地应使用
每个NPN和模块使能输入应具有
保护从负偏置电流。
软启动
软启动可有效地限制期间浪涌电流
GATE启动。过长的软启动间隔时间可超过
如果MOSFET的SOA持续开机时进入活跃
负载。当SS引脚悬空，内部电流源
坡道SS从0V至2.2V约300μS （ 0V至1.4V的
关于为200ps的LTC4253A ） 。连接外接
电容C
SS
从SS到地修改坡道
近似的RC响应：
这允许浪涌电流被限制到V
ACL
（吨） / R
S
.
偏置电压V
OS
（为10mV ） ，确保
SS
充分
排出的ACL放大器处于电流限制模式
前GATE启动。 UVLO期间， SS排放低
在V
IN
，欠压，在最初的定时周期中，锁存
断路器故障或RESET引脚变为高电平。
门
GATE拉低至V
EE
在以下任一条件的
系统蒸发散：在UVLO ，当RESET拉高，在欠压
条件下，在过压情况时，初始时
定时周期或闭锁断路器故障。当GATE
打开，一个50μA电流源充电MOSFET栅极
和任何相关的外部电容。 V
IN
限制
门开到不超过14.5V以上。
栅 - 漏电容（C
GD
）馈通在所述第一
功率的突然应用可引起栅极 - 源极
电压足以开启MOSFET 。独特的电路
拉GATE低，在V几乎没有可用的电压
IN
并消除电流尖峰的插入。大外部
栅极 - 源极电容因此，不需要为目的
补偿的C
GD
。相反，较小的值（ ≥10nF ）
电容C
C
是足够的。
C
还提供赔偿
为模拟电流限制回路。
门有两个比较器：低栅看起来比较
对于<0.5V门槛初始时间之前;栅极高
比较查找<2.8V相对于V
IN
并联手
有排水比较低，套
PWRGD1
在输出
GATE启动。
425353afe
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