LT3760
应用信息
RS的功率额定值应选择为超过
在我
2
负的电阻。峰值电感电流
应重新计算选择的RS值，以确保
所选择的电感不会饱和。
功率MOSFET ：过流和打嗝模式
对于严重的外部故障，这可能会使外部
MOSFET的到达电流大于峰值电流
德网络定义了RS和52mV检测引脚的阈值说明
如上所述， LT3760具有过电流比较器，其
触发软启动和关断MOSFET驱动
电流超过，
软启动
以限制电感器的浪涌电流和输出电压中
从故障状态下启动或恢复时， LT3760亲
国际志愿组织的软启动功能。 LT3760的输入时，这些
故障会放电的内部软启动节点，防止
切换GATE引脚为以下任何故障： V
IN
,
SHDN / UVLO
或INTV
CC
电压过低或MOSFET的电流
过高（参见图2中的时序图） 。当退出
这些故障的LT3760斜了内部软启动
节点在大约0.5V / ms的控制V
C
引脚电压
上升，从而控制MOSFET开关电流上升。在AD-
条件时的软启动周期逐渐增大开关
频率从大约33 ％到100％的满刻度。
退出所有故障，并允许软所需要的条件
启动V的坡道
C
销被列在图2的加
的LT3760的特点是，它等待在第一PWM引脚
高电平有效（最小200ns的脉冲宽度） ，它允许之前
I
（过电流）
=
100mV
RS
在这种故障模式的LT3760只允许MOSFET的导通
在约100ns的每一个2ms的。这种打嗝模式
显着减少了所需的额定功率
MOSFET。
门
V
C
V
C最小
钳
0.5V/ms
0.4V + V
BE
(V
C
开关
阈值）
0.1V + V
BE
SS
（内部）
0.4V
0.1V
任何以下故障
TRIGGERS软启动LATCH
带门已关闭
立刻道：
V
IN
< 3.7V ， SHDN < 1.476V ，
INTVCC < 3.4V
I
DSS
（外部MOSFET ） >为100mV / RS
0.5V/ms
软启动
LATCH设置：
软启动锁存复位需要
所有条件满足：
SS （内部） < 0.2V ，V
IN
≥
4.2V,
SHDN > 1.476V ， INTV
CC
> 3.8V ，
I
DSS
（外部MOSFET ） <为100mV / RS ，
PWM > 1.4V （至少200ns内）
3760 F02
图2： LT3760故障检测和软启动时序V
C
引脚和内部SS节点
3760fc
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