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数据表
应用信息
PC板布局
该
ADuM3223/ADuM4223
数字隔离器不需要克斯特
纳尔接口电路，所述逻辑接口。电源
旁路是需要在输入和输出供电引脚，如
在图19中示出使用一个小的陶瓷电容器，其值
0.01 μF和0.1 μF之间提供了良好的高频
绕行。在输出电源引脚，V
DDA
或V
DDB
，它是
建议还添加了一个10μF的电容，以提供
电荷来驱动栅极电容在
ADuM3223/
ADuM4223
输出。在输出电源引脚，旁路
应避免电容使用过孔或多个过孔应
被用来降低在旁路电感。该
较小的电容器的两端之间走线总长
输入或输出电源引脚不得超过5毫米。
V
IA
V
IB
V
DD1
GND
1
关闭
NC
NC
GND
1
V
OB
GND
B
NC
NC
V
DDB
10450-119
ADuM3223/ADuM4223
通道与通道之间的匹配是指最大数量
的传播延迟中的信道之间是不同的
单身
ADuM3223/ADuM4223
组件。
传播延迟偏斜指最高量
的传播延迟的多个之间的不同
ADuM3223/
ADuM4223
部件相同的条件下操作。
热限制和负载开关
特征
对于隔离门极驱动器之间的必要的分离
输入和输出电路防止了使用单一的热
垫的部分的下方，并且热量，因此，耗散主要
通过封装引脚。
封装热耗散限制的切换的性能
频率与输出负载，如示于图7和图8中
对于最大负载电容可以被驱动以1 Ω
对于输出电压的不同值而串联栅极电阻。为
例如，该曲线示出了一个典型的
ADuM3223
可以驱动
大量的MOSFET与140 NC栅极电荷为8 V输出（也就是
相当于一个17 nF的负载）到约300千赫兹的频率。
V
DDA
V
OA
GND
B
输出负载特性
该
ADuM3223/ADuM4223
输出信号依赖于
输出负载，它通常是一个N沟道的特征
MOSFET。驱动器的输出响应于一个N沟道MOSFET
负载可以用一个开关输出电阻来建模（注册商标
SW
） ，一
电感由于在印刷电路板迹线（长
跟踪
） ，一系列
栅极电阻（R
门
） ，以及一栅极 - 源极电容（C
gs
），如
在图21中所示。
V
IA
图19.推荐的PCB布局
传播延迟相关参数
传播延迟是描述所花费的时间参数
一个逻辑信号，以通过一个组件传播。传播
延迟到逻辑低输出可从传播延迟不同
到逻辑高输出。该
ADuM3223/ADuM4223
指定牛逼
DLH
（见图20 ），作为上升的输入高逻辑之间的时间
阈值V
IH
，在产量提升10 ％的门槛。同样地，所述
下降传播延迟，T
DHL
被定义为间隔时间
输入下降逻辑低电平阈值时， V
IL
和输出下降
90 ％的阈值。上升和下降时间依赖于
加载条件和不包括在所述传播
延迟，这是因为栅极驱动器的行业标准。
90%
产量
10%
一个N沟道MOSFET的栅极图21. RLC模型
V
IH
输入
V
IL
R
SW
是内部的开关电阻
ADuM3223/
ADuM4223
驱动器输出，这是大约1.1 Ω 。
门
为
MOSFET和外部一系列固有栅极电阻
性。这需要4的栅极驱动器MOSFET具有
约1 Ω典型固有栅极电阻和栅极 -
源电容，C
GS
之间2 nF的和10nF的。 L
跟踪
为
电感的印刷电路板迹线，通常一个值
5 nH的或为一个精心设计的布局少具有非常短而宽
从该连接
ADuM3223/ADuM4223
输出到栅极
的场效应晶体管。
下面的等式定义的RLC电路的Q因子，
这表明如何
ADuM3223/ADuM4223
产量
响应于一个阶跃变化。对于一个良好的阻尼输出， Q是
小于1。添加一个串联栅极电阻衰减输出
反应。
t
DLH
t
R
t
DHL
t
F
10450-005
图20.传播延迟参数
第0版|第15页20
10450-006
ADuM3223/
ADuM4223
V
OA
R
SW
R
门
L
跟踪
C
GS
V
O
