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UT100N03
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃ ，除非另有规定）
功率MOSFET
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
30
V
栅源电压
V
GSS
±20
V
连续漏电流
I
D
100
A
漏电流脉冲（注2 ）
I
DM
400
A
单脉冲雪崩电流（注3 ）
I
AS
35
A
单脉冲雪崩能量（注3 ）
E
AS
875
mJ
TO-220/TO-263
100
功耗
W
TO-251
50
P
D
TO-220/TO-263
0.67
减免上述25 °
W/℃
0.4
TO-251
结温
T
J
+175
℃
强烈的温度
T
英镑
-55 ~ +175
℃
注： 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.脉冲宽度有限的最高结温
3， L = 0.5mH ，我
AS
= 35A ，V
DD
= 25V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25℃.
热数据
参数
结到环境
结到外壳
TO-220/TO-263
TO-251
TO-220/TO-263
TO-251
符号
θ
JA
θ
JC
评级
62.5
110
1.5
2.5
单位
℃/W
℃/W
电气特性
(T
J
= 25 ℃ ，除非另有说明）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征（注2 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
=250 A
V
DS
=30 V,V
GS
=0 V
V
DS
=0 V, V
GS
= ±20 V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250 A
V
GS
= 10 V，I
D
=50 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
=40 A
最小典型最大单位
30
1
±100
1
3.05
4.2
9500
800
300
50
20.8
19
25.7
10
128
34
65
nC
50
20
200
70
1.5
90
3
5.3
8
V
A
nA
V
m
动态参数（注3 ）
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=15V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数（注3 ）
总栅极电荷
Q
G
V
DS
=15V, V
GS
= 5V ，我
D
=16A
门源电荷
Q
GS
闸漏极电荷
Q
GD
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
DD
= 15V ，我
D
= 1A ，R
根
=6
V
GS
=10 V
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
I
S
= 20 A，V
GS
=0 V
漏源二极管的正向电流
I
S
注： 1.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2 ％ 。
2.设计保证，不受生产测试。
pF
ns
V
A
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2 5
QW-R502-193.D
