低噪音
提单上K波段砷化镓MESFET
特点
低噪声系数
NF = 1.6 dB典型值，在f = 12 GHz的
关联度高增益
G
A
= 9.5 dB典型值，在f = 12 GHz的
L
G
= 0.3
m,
W
G
= 280
m
磊晶技术
低相位噪声
3
NE71300
噪声系数&相关的增益
与频率的关系
V
DS
= 3 V，I
DS
= 10毫安
24
2.5
21
2
G
A
1.5
18
15
1
NF
0.5
12
描述
该NE71300具有低噪声指数和高associ-
ated通过增益K波段通过采用凹进0.3微米
门和三外延技术。的有源区
芯片上覆盖的SiO
2
和Si
3
N
4
对于划伤保护
以及表面的稳定。此装置适用于既
在消费放大器和振荡器的应用和
工业市场。
NEC严格的质量保证和测试程序恩
确保最高的可靠性和性能。
9
0
1
2
10
20
30
6
频率f （ GHz）的
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
NF
OPT1
参数和条件
最佳的噪声系数，V
DS
= 3 V，I
DS
= 10毫安，
F = 4 GHz的
F = 12 GHz的
相关的增益，V
DS
= 3 V，I
DS
= 10毫安，
F = 4 GHz的
F = 12 GHz的
输出功率在1 dB压缩，V
DS
= 3 V，I
D
S = 30毫安，
F = 12 GHz的
饱和漏极电流，V
DS
= 3 V, V
GS
= 0
夹断电压，V
DS
= 3 V，I
DS
- 0.1毫安
跨导，V
DS
= 3 V，I
DS
= 10毫安
门源漏电流在V
GS
= -5 V
热电阻（通道到外壳）
单位
dB
dB
dB
dB
DBM
mA
V
mS
A
° C / W
20
-3.5
20
11.5
8.5
民
NE71300
00 （ CHIP ）
典型值
0.6
1.6
14.0
9.5
14.5
40
-1.1
50
1.0
10
190
120
-0.5
最大
0.7
1.8
G
A1
P
1dB
I
DSS
V
P
g
m
I
GSO
R
TH （ CH -C ） 2
注意事项：
1.射频性能是通过封装和测试每片晶圆的10个样品测定;晶片拒绝标准对标准器件为2次品10
样品。
2.芯片安装在无限大的散热器。
美国加州东部实验室
相关的增益，G
A
（ dB）的
噪声系数NF （ dB）的
