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NP60N04MUK ， NP60N04NUK
典型特征
(T
A
= 25°C)
正向偏置安全的降额因子
工作区
总功耗对比
外壳温度
120
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
120
100
80
60
40
20
0
P
T
- 总功率Disslpation - 含
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- 外壳温度 - C
T
C
- 外壳温度 - C
正向偏置安全工作区
1000
I
D（脉冲）
= 240 A
R
DS （ ON）
有限
(V
GS
=10 V)
100
I
D（ DC）的
= 60 A
I
D
- 漏电流 - 一个
PW
=1
00
μ
s
PW
10
功耗有限公司
=1
ms
PW
=1
s
0 m
DC
1
二次击穿有限公司
T
C
= 25°C
单脉冲
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
1000
R
日（T ）
- 瞬态热阻 - C / W
100
R
第（章-a）的
= 83.3C / W
10
R
TH（ CH-C ）
= 1.43 ° C / W
1
0.1
单脉冲
0.01
0.1 m
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
R07DS0597EJ0100 Rev.1.00
2012年1月11日
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