CS4385
3.9.1
电容布局
去耦电容应尽量靠近DAC越好，与低val-
UE的陶瓷电容作为最接近。为了进一步减少阻抗，这些电容器
应该位于相同的层中的DAC上。如果需要的话，所有的电源引脚与同类
额定电压可被连接到相同的供给，但去耦电容器应
仍然被放置在每个电源引脚。
注：所有去耦电容应参考模拟地。
该CDB4385评估板演示了最佳的布局和电源AR-
rangements 。
3.10模拟输出和滤波
本应用笔记“设计说明2极点滤波器带差分输入”讨论的节
OND阶巴特沃斯滤波器和差分至单端转换器，它实施于
在CS4385评估板， CDB4385评估板，如图24 CS4385看到
不包括相位或幅度补偿外部滤波器。因此，DAC的系
统的相位和振幅响应将依赖于外部模拟电路。在场外
芯片滤波器的设计是为了减轻典型的满量程输出电平至低于2 Vrms的。
图23示出的满量程差分模拟输出电平规范是如何衍生的。
3.85 V
AOUT +
2.5 V
1.15 V
3.85 V
AOUT-
2.5 V
1.15 V
满量程输出电平= （ AOUT + ） - （ AOUT - ） = 6.7 Vpp的
图23.满量程输出
DS671A1
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