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新产品
SiB912DK
Vishay Siliconix公司
双N沟道20V的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
0.216在V
GS
= 4.5 V
20
0.268在V
GS
= 2.5 V
0.375在V
GS
= 1.8 V
I
D
(A)
A，G
1.5
1.5
1.0
1.2 NC
Q
g
（典型值）。
特点
无卤
TrenchFET
功率MOSFET
新的耐热增强型PowerPAK
SC- 75封装
- 小占位面积
- 低导通电阻
RoHS指令
柔顺
应用
的PowerPAK SC75-6L ，双
负荷开关， PA的开关和电池开关，用于便携式
器件
DC / DC转换器
D
1
D
2
S
1
D
1
D
1
6
G
2
5
1.60 mm
4
1
2
G
1
D
2
D
2
3
的CAx
零件编号代码
XXX
很多可追溯性
和日期代码
G
1
标识代码
G
2
S
2
1.60 mm
S
1
订货信息：
SiB912DK -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
N沟道
MOSFET
S
2
N沟道
MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
极限
20
±8
1.5
a
1.5
a
1.5
A， B，C
1.4
B，C
5
1.5
a
0.9
B，C
3.1
2.0
1.1
B，C
0.7
B，C
- 55 150
260
单位
V
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
A
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
I
DM
I
S
最大功率耗散
P
D
T
J
, T
英镑
W
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
D，E
°C
热电阻额定值
参数
B，F
t
≤
5s
最大结点到环境
° C / W
最大结至外壳（漏）
稳定状态
注意事项：
一。包装有限。
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
。 T = 5秒。
。见焊接温度曲线（
h
TTP ： //www.vishay.com/ppg 73257 ） 。
采用PowerPAK SC- 75是一种无引线封装。引线端子的端部露出
铜（未镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜提示不能得到保证，
并不需要保证足够的底侧的焊料互连。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
F。在稳态条件下最大为125 ° C / W 。
克。基于T
C
= 25 °C.
文档编号： 68883
S- 82022 -REV 。 A， 01 - 09月08
www.vishay.com
1
符号
R
thJA
R
thJC
典型
90
32
最大
115
40
单位
