新产品
SiA533EDJ
Vishay Siliconix公司
P- CHANNEL典型特征
25 ℃，除非另有说明
3.0
10
-1
10
-2
2.5
10
-3
I
g
- 栅极电流（mA ）
I
g
- 栅极电流（mA ）
10
-4
10
-5
10
-6
10
-7
10
-8
10
-9
T
J
= 25 °C
T
J
= 150 °C
2.0
1.5
1.0
T
J
= 25 °C
0.5
10
-10
0.0
0.0
4.0
8.0
12.0
16.0
0.0
4.0
8.0
12.0
16.0
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
栅电流与栅源电压
15
V
GS
= 5
V
THRU 2
V
12
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
8
10
栅电流与栅源电压
9
V
GS
= 2
V
6
T
C
= 125 °C
4
T
C
= 25 °C
2
T
C
= - 55 °C
6
V
GS
= 1.5
V
3
V
GS
= 1
V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
0.20
V
GS
= 1.5
V
V
GS
= 1.8
V
传输特性
1000
0.16
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
- 电容（pF ）
800
C
国际空间站
0.12
V
GS
= 2.5
V
600
0.08
V
GS
= 4.5
V
400
C
OSS
0.04
200
C
RSS
0.00
0
3
6
9
12
15
0
0
3
6
9
12
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流和栅极电压
电容
www.vishay.com
8
文档编号： 65706
S10-0214 -REV 。 A， 25 -JAN- 10
