IRFZ20 ， SiHFZ20
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
()
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
17
9.0
3.0
单身
50
0.10
特点
非常低R
DS （ ON）
紧凑的塑料包装
快速开关
低驱动电流
易于并联的
出色的温度稳定性
百万分之一的质量
符合RoHS指令2002/95 / EC
D
TO-220AB
描述
该技术扩展了其产品基础，以服务
低电压，非常低R
DS （ ON）
MOSFET晶体管
要求。
Vishay的高效几何形状和
独特的加工已经联合打造最低
对每个设备的性能阻力。除此之外
配备了所有已经记录的可靠性和百万分之几
品质！
该晶体管还可提供所有的确立
MOSFET的优点，例如电压控制，非常快
的交换，易于并联的，和温度稳定性
电气参数。
它们非常适合用于诸如开关
电源，电机控制，逆变器，斩波器，音频
放大器，高能量脉冲电路，并在系统
从低电压电池，如进行操作
汽车，便携式设备等
G
S
G
D
S
N沟道MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-220AB
IRFZ20PbF
SiHFZ20-E3
IRFZ20
SiHFZ20
绝对最大额定值
参数
漏源电压
a
栅源电压
a
连续漏电流
脉冲漏
单脉冲雪崩能量
c
线性降额因子（见图16 ）
最大功率耗散（见图16 ）
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
当前
b
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
T
C
= 25 °C
10秒
P
D
T
J
, T
英镑
极限
50
± 20
15
10
60
5
0.32
40
- 55至+ 150
300 （ 0.063" （从案例1.6毫米）
单位
V
A
mJ
W / ℃，
W
°C
笔记
一。牛逼
J
= 25 ℃至150 ℃的
B 。 Repeditive评级：脉冲宽度有限的最大值。结温。看到瞬时温度阻抗曲线（参见图11） 。
。起始物为
J
= 25 ° C，L = 0.07 mH的，R
g
= 25
,
I
AS
= 12 A
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91340
S10-1682 -REV 。 A， 26 10年7月
www.vishay.com
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