位置：首页 > IC型号导航 > 首字符1型号页 > 首字符1的型号第178页 > 115CNQ015ASL > 115CNQ015ASL PDF资料 > 115CNQ015ASL PDF资料1第4页
VS- 115CNQ015A的PbF系列
日前，Vishay高功率产品
125
肖特基整流器器
新一代3 D- 61封装， 2× 55一
30
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
允许外壳温度（ ℃）
平均功耗（ W）
120
25
20
15
DC
115
方波（ D = 0.50 ）
5 V应用
110
RMS限制
10
DC
5
0
105
见注（ 1 ）
100
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0
10
20
30
40
50
60
70
80
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流（每腿）
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 6 - 正向功率损耗特性（每腿）
I
FSM
- 不重复浪涌电流（A ）
10 000
1000
在任何额定负载条件和
额定V
RRM
应用的
以下浪涌
100
10
100
1000
10 000
t
p
- 方波脉冲持续时间（微秒）
图。 7 - 最大非重复浪涌电流（每腿）
L
快速
开关
飞轮
二极管
40HFL40S02
+ V
d
= 25 V
D.U.T.
IRFP460
R
g
= 25
Ω
当前
MONITOR
图。 8 - 非钳位感应测试电路
记
(1)
式中： T = - （ PD +钯
C
J
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
= 5 V
www.vishay.com
4
如有技术问题，请联系：
diodestech@vishay.com
文档编号： 94126
修订： 16 -APR- 10
