BH
□□FB1WG
系列， BH □□ FB1WHFV系列，
BH
□□LB1WG
系列， BH □□ LB1WHFV系列，
BH
□□MA3WHFV
系列
技术说明
噪声端子（ BH
MA3WHFV)
该终端直接连接到向内正常电压源。由于这种具有低电流能力强，负载超过
100nA的会造成一些不稳定的输出。由于这些原因，我们强烈建议您使用陶瓷电容，具有更低
泄漏电流。当选择噪声电流降低电容器之间存在启动时间和稳定性的权衡。一
更大的电容值将导致较小的振荡，但较长的启动时间为VOU T。
100
V
OUT
启动时间t （毫秒）
10
1
BH30MA3WHFV
条件
VIN=4.0V
Cin=1.0μF
Co=1.0μF
ROUT=3.0kΩ
Ta=25°C
0.1
0.01
100P
1000P
0.01μ
0.1μ
噪声滤波电容，电容道道通（F ）
图。 35 ： V
OUT
启动时间与噪声滤波电容的电容特性（例）
IC的关于输入引脚
这monolithi IC包含P +隔离和P substrat S层间的相邻
为了让他们孤立的元素。的P / N结形成在的交叉点
与其他元素的N层，这些P层，以创建各种寄生元件。
例如，当电阻器和晶体管被连接到引脚，如图37所示
当接地> （引脚A）中的电阻器或所述的P / N结的功能的寄生二极管
GND > （引脚B）的晶体管（ NPN ） 。
类似地，当接地> （引脚B）中的晶体管（ NPN型） ，寄生二极管描述
以上结合了N层相邻的其他元件的操作为一个寄生
NPN晶体管。
寄生元件的形成为一体的电势之间的关系的结果
不同的引脚是IC的架构的必然结果。寄生操作
元素可以引起与电路操作的干扰以及集成电路故障和
损害。由于这些原因，有必要慎重使用，以使IC不会在使用
将触发由应用寄生元件，诸如操作方式
电压比GND（ P衬底）电压到输入引脚为低。
晶体管（ NPN ）
（ A端）
电阻器
回到当前的
V
CC
OUT
CTL
GND
图。 36 ：旁路示例
二极管连接
（ B候机楼）
C
B
E
B
（ B候机楼）
O
E
GND
P+
N
N
P
P-板
寄生元件
GND
N
P
P+
N
P+
N
N
P
N
P
P+
其他相邻元素
GND
寄生元件
（ A端）
寄生元件
寄生元件
GND
GND
Fig.37
产品型号选择
B H
ROHM
产品型号
3 0
产量
电压
F B 1
电流容量
MA3 ： 300毫安
FB1 ： 150毫安
LB1 ： 150毫安
W
关闭
开关
W：带开关
F V
包
HFV ： HVSOF6
HVSOF5
G： SSOP5
-
牛逼
包装规格
TR ：压纹带卷
www.rohm.com
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7/8
2010.07 -
版本C
