BH
□□FB1WG
系列， BH □□ FB1WHFV系列，
BH
□□LB1WG
系列， BH □□ LB1WHFV系列，
BH
□□MA3WHFV
系列
技术说明
输入电容
建议将输入和GND引脚之间的旁路电容，其定位为靠近引脚
可能。这些电容将被用于当电源阻抗增加或长的布线路径时使用，所以
一旦集成电路已被安装，他们会被检查。
陶瓷电容一般有温度和直流偏置特性。在选择陶瓷电容，采用X5R或
X7R或更好的模式，提供良好的温度和直流偏置特性和高torelant电压。
陶瓷电容器特性的例子
率变化的静电容量的（％）
率变化的静电容量的（％）
120
100
50V
torelance
80
60
10V
torelance
16V
torelance
40
20
0
0
50V
torelance
95
90
16V
torelance
85
10V
torelance
80
75
70
0
率变化的静电容量的（％）
100
120
100
80
60
40
20
0
-25
Y5V
X7R
X5R
1
2
3
4
直流偏置直流电压（V ）
图。 29 ：电容偏置特性（ Y5V ）
1
2
3
4
直流偏置直流电压（V ）
图。 30 ：电容偏置特性（ X5R ， X7R ）
0
25
50
75
温度（℃）
图。 31 ：电容 - 温度特性
（ X5R ， X7R ， Y5V ）
输出电容
为了防止振荡，在输出时，建议使IC在稳定区域显示在下面所示进行操作。它
工作在多于1.0μF的电容。作为电容越大，稳定性变得更加稳定和特性
输出负载变动也得到改善。
BH
100
LB1WHFV/WG
Cout=1.0μF
Ta=+25°C
BH
100
FB1WHFV/WG
Cout=2.2μF
Ta=+25°C
BH
100
MA3WHFV
Cout=1.0μF
Cin=1.0μF
Ta=+25°C
10
ESR（ Ω ）
ESR（ Ω ）
1
0.1
0.01
10
ESR（ Ω ）
1
0.1
0.01
10
1
稳定区
0.1
0.01
50
100
150
输出电流I
OUT
（MA ）
图。 33 BH
FB1WHFV/WG
稳定的工作区特性（例）
0
0
100
200
输出电流I
OUT
（MA ）
300
稳定区
稳定区
0
50
100
输出电流I
OUT
（MA ）
150
图。 32 BH
LB1WHFV/WG
稳定的工作区特性（例）
图。 34 BH
MA3WHFV
稳定的工作区特性（例）
其他注意事项
过电流保护电路
该集成电路包括一个内置过，根据输出电流的容量运行电流保护电路。该电路
用于保护集成电路不受损坏，当负载被短路。该保护电路使用折返式电流限制和
旨在通过未闭锁在一个大的和瞬时电流流动的来自始发的事件，以限制电流流过
大电容或其它元件。这些保护电路，可以有效地防止损坏，由于突然的，
意外事故。然而，该IC不应该在其特征在于，所述连续运行的应用程序使用，或者
过渡的保护电路。
热关断电路
该系统具有保护IC免受热损伤的目的，内置热关断电路。如图所示
以上，这必须被耗散功率的范围内使用，但如果功率耗散恰好是连续
突破，芯片温度升高，引起热关断电路来操作。当热关断
电路工作时，该电路的操作被暂停。该电路的芯片后立即恢复运行
温度降低，因此，输出重复ON和OFF状态。有在其中的集成电路是由于被破坏的情况下
当它被留在过载状态下的热失控。一定要避免留下IC在过载状态。
在强磁场操作
使用IC时务必小心在强磁场的存在，作为这样的环境中可能会偶尔导致芯片
发生故障。
返回电流
在应用中，集成电路可以被暴露到后的电流流动时，建议创建路由吨消散该电流
通过V之间插入一个旁路二极管
IN
和V
OUT
销。
GND电位
确保在所有工作条件下的最小GND引脚的潜力。
此外，确保没有针脚比GND引脚等进行比电压小于或等于GND引脚，包括在
实际的瞬变现象。
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2010.07 -
版本C
