数据表
4V驱动N沟道+ N沟道MOSFET
MP6K11
结构
硅N沟道MOSFET
■特点
1）低导通电阻。
2 ）高功率封装（ MPT6 ） 。
3 ）低电压驱动（ 4V的驱动器） 。
尺寸
（单位：毫米）
MPT6
（决斗）
(6)
(5)
(4)
(1)
(2)
(3)
应用
开关
包装规格
TYPE
MP6K11
包
CODE
基本订购单位（件）
TAPING
TCR
1000
内部电路
(6)
(5)
1
(4)
2
2
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
功耗
通道温度
储存温度范围
* 1 Pw10s ，职务cycle1 ％
* 2装在一个陶瓷基板。
符号
V
DSS
V
GSS
范围
30
20
3.5
单位
V
V
A
A
A
A
（1） Tr1的源
（2） Tr1的栅极
（ 3 ） Tr2的漏
（4） Tr2的源
（ 5 ） Tr2的门
（ 6 ） Tr1的漏
1
(1)
(2)
(3)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
连续
脉冲
连续
脉冲
I
D
I
DP
I
s
I
sp
P
D
总胆固醇
TSTG
*1
12
1.6
12
*1
*2
2.0
W / TOTAL
1.4
W /元
150
C
55
to
150
C
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