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PD - 96339A
IRLHS6342PbF
V
DS
V
GS
R
DS （ ON） MAX
(@V
GS
= 4.5V)
30
±12
15.5
11
12
V
V
m
nC
A
D 1
HEXFET
功率MOSFET
顶视图
6 D
D
D
D
D
Q
G（典型值）
I
D
(@T
C（下）
= 25°C)
D 2
S
D
5 D
G
i
G 3
4 S
D
S
S
采用2mm x 2mm PQFN
应用
电池应用的充电和放电开关
系统/负载开关
特点和优点
特点
低R
DSON
(≤ 15.5m)
低热阻的PCB （ ≤ 13 ° C / W）
薄型（ ≤ 1.0毫米）
兼容现有的表面贴装技术
不含铅，无溴，无卤素RoHS标准
MSL1 ，消费者资格
由此产生的利益
更低的传导损耗
能更好的散热
结果增加了功率密度
容易制造
环境友好
提高可靠性
订购型号
IRLHS6342TRPBF
IRLHS6342TR2PBF
套餐类型
PQFN采用2mm x 2mm
PQFN采用2mm x 2mm
标准包装
形式
QUANTITY
磁带和卷轴
4000
400
磁带和卷轴
记
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
D
@ T
C（下）
= 25°C
I
D
@ T
C（下）
= 70°C
I
D
@ T
C（下）
= 25°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
T
J
T
英镑
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V （引线键合有限公司）
漏电流脉冲
功耗
g
功耗
g
马克斯。
30
±12
8.7
6.9
19
单位
V
c
hi
15
hi
12
i
76
2.1
1.3
A
W
W / ℃，
°C
线性降额因子
工作结
g
0.02
-55到+ 150
存储温度范围
笔记
通过
在第2页
www.irf.com
1
02/25/11
