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高级技术信息
沟槽栅
功率MOSFET
N沟道增强模式
IXTQ 180N055T
IXTA 180N055T
IXTP 180N055T
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
= 55 V
= 180 A
= 4.0 m
TO-3P （ IXTQ ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSM
I
D25
I
DRMS
I
DM
I
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
测试条件
T
J
= 25 ℃至175 ℃的
T
J
= 25 ℃175 ℃;
GS
= 1 M
最大额定值
55
55
±20
V
V
V
的TO-220 （ IXTP ）
A
A
A
A
G
（ TAB ）
G
D
S
（ TAB ）
T
C
= 25°C
外部引线电流限制
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
,
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 10
T
C
= 25°C
180
75
600
75
1.0
3
360
-55 ... +175
175
-55 ... +150
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
°C
G =门
S =源
S
TO- 263 （ IXTA ）
G
S
（ TAB ）
D =漏
TAB =漏
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
最高温度标签焊接
的TO- 263封装为10秒
安装力矩
TO-3P
TO-220
TO-263
（ TO-3P / TO-220 ）
300
260
M
d
重量
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
5.5
4
3
g
g
g
特点
国际标准封装
非钳位感应开关（ UIS）
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 125°C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
55
2.0
4.0
±200
1
250
3.3
4.0
V
V
nA
A
A
m
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
V
GS
= 10 V，I
D
= 50 A
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
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DS99342(02/05)
