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IXTA 180N055T IXTP 180N055T
IXTQ 180N055T
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。
马克斯。
70
90
5800
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
1190
138
37
V
GS
= 10 V, V
DS
= 40 V，I
D
= 40A
R
G
= 5
（外部）
61
65
36
160
V
GS
= 10 V, V
DS
= 30 V，I
D
= 90 A
46
47
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.42 K / W
(TO-3P)
(TO-220)
0.21
0.25
K / W
K / W
TO- 3P （ IXTQ ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 50A ，脉冲测试
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。
马克斯。
180
600
1.2
A
A
V
TO- 220 （ IXTP ）大纲
I
F
= 50 A，V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= 25 A
-di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 25 V
80
0.4
ns
C
TO- 263 （ IXTA ）大纲
DIM 。
A
A1
b
b2
c
c2
D
D1
E
E1
e
L
L1
L2
L3
L4
R
毫米
分钟。
马克斯。
4.06
2.03
0.51
1.14
0.46
1.14
8.64
7.11
9.65
6.86
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
0.46
4.83
2.79
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.13
10.29
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.38
0.74
英寸
分钟。马克斯。
.160
.080
.020
.045
.018
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.018
.190
.110
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.015
.029
引脚：
1 - GATE
2 - 漏极
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖
一个或moreof以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
