HAL 805
初步数据表
温度
对COEF网络cient
磁铁（ ppm的/ K）的
TC
TCSQ
4.4 。欠压行为
在低于4.5伏的电压范围内，以大约3.5V，
的HAL 805中的操作通常给出和预
预测的对于大多数传感器。一些参数
可能是出于规范的。低于3.5 V时，
数字处理是复位。如果一旦电源电压
再次上升超过约3.5 V ，约一个启动时间
20
经过对发生在数字处理。如
只要电源电压仍高于约2.8伏，
模拟输出保持在其最后的有效值ratiomet-
RIC到V
DD
。低于大约2.5伏时，整个传感器将
复位。
810
860
910
960
1020
1070
1120
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1250
1320
1380
1430
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1640
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1870
1950
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2180
2270
2420
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0
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4.5 。环境温度
由于内部功耗，温度
在硅芯片上（结温度T
J
）较高
比包外部的温度（环境
温度T
A
).
T
J
= T
A
+
T
在静态条件下，下面的等式成立：
吨 - 我
DD
* V
DD
* R
thJA
对于典型的价值观，用典型的参数。为
最坏的情况计算，可使用最大。对于参数
I
DD
和R
th
和最大值。值V
DD
从应用程序
阳离子。
对于V
DD
= 5.5 V ，R
th
= 200 K / W和我
DD
= 10毫安
温差
T = 11 K.
对于所有的传感器，结温度T
J
是试样
田间。最高环境温度T
AMAX
可以
计算公式如下：
T
AMAX
= T
JMAX
T
4.6 。 EMC和ESD
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HAL的805是专为稳定的5 V电源。
干扰和干扰沿线进行
12伏车载系统（产品标准DIN40839
部1或ISO 7637第1部分）是不相关的这些
应用程序。
通过电容或干扰应用程序
电源线路上的电感耦合或辐射扰动
bances ，在图中所示的应用电路。 4-1是消遣
ommended 。采用这种布置应用
通过EMC测试，根据产品的标
dards DIN 40839第3部（机电暂态transmis-
锡永通过电容或电感耦合）和第4部分
（辐射干扰） 。
请联系Micronas公司的详细调查
报告与EMC和ESD的结果。
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MICRONAS
