SPOC - BTS5572E
功率级
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功率级
高侧功率级是由N沟道垂直功率MOSFET （ DMOS ）与电荷泵建成。那里
五个通道中的设备中实现。每个通道都可以通过输入引脚或通过SPI寄存器开启
出。
信道0，1和2提供了灯泡或LED在寄存器中的负载类型的配置
PLCR 。
负载型
允许配置中只有断开状态被改变。
6.1
输出导通状态电阻
的通态电阻
R
DS （ ON）
取决于供电电压
V
BB
以及在结温
T
j
.
图4
显示了这些依赖关系。在反向极性模式下的行为描述
第11条。
V
BB
= 13.5 V
350
300
信道0，1， 2（灯泡）
信道0 ，1，2 （LED）的
通道3,4
400
350
300
信道0，1， 2（灯泡）
信道0 ，1，2 （LED）的
通道3,4
T
j
= 25 °C
R
DS （ ON）
[m
]
R
DS （ ON）
[m
]
250
200
150
100
50
0
-50
250
200
150
100
50
0
0
T
j
[°C]
50
100
150
0
5
10
V
BB
[V]
15
20
25
30
图4
典型导通电阻
6.2
输入电路
有使用的输入引脚的组合与输出寄存器的两种方式通过编程
HWCR.PWM
参数。
PLCR.PWM
= 0 ：一个信道被接通或者通过根据所述
OUT
位寄存器或输入引脚。
PLCR.PWM
= 1 ：一个信道被接通，根据由所述
OUT
只有寄存器位，当输入引脚为高电平。在
该结构中， PWM信号可以被提供给输入端子和所述信道由SPI寄存器激活
出。
图5
显示了完整的输入开关矩阵。
数据表
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1.0版， 2008-05-15
