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IXFH230N075T2
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCH
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM
Q
RM
V
GS
= 0V
重复，脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= 100A ，V
GS
= 0V ，说明1
I
F
= 115A ，V
GS
= 0V
-di / DT = 100A / μs的
V
R
= 37V
59
3.6
106
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
230
900
1.3
A
A
V
ns
A
nC
0.21
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2Ω
（外部）
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
DS
= 10V ，我
D
= 60A ，注1
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
50
85
10.5
1165
125
23
18
33
15
178
53
41
S
nF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.31
° C / W
° C / W
端子： 1 - 门
3 - 来源
e
1
2
3
TO- 247 （ IXFH ）大纲
P
2 - 漏极
DIM 。
毫米
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
2.2
2.54
A
1
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
b
1
1.65
2.13
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
注1 ：脉冲检验，t
≤
300μS ，占空比D
≤
2%.
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
