SENSITRON
半导体
技术参数
数据表826 ， REV -
SHD239603
密封功率MOSFET
N沟道
产品特点：
200伏， 0.045欧姆， 50A MOSFET
封闭式金属封装
低R
DS （ ON）
最大额定值
电气特性
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 250毫安
静态漏极至源极通态电阻
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5I
D25
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
, I
D
= 4.0毫安
正向跨导
V
DS
= 10V ，我
D
= 0.5I
D25
零栅极电压漏极电流
V
DS
= 0.8×最大值。评级，V
GS
= 0V ，T
J
= 25C
T
J
= 125C
门源漏FORWARD
V
GS
= 20V
门源漏反向
V
GS
= -20V
打开延迟时间
V
DS
= 0.5V
上升时间
V
DSS
, I
D
= 0.5I
D25
BV
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
关闭延迟时间
V
GS
=10V
下降时间
R
G
= 1.0W
二极管的正向电压
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
反向恢复时间
T
J
= 25C,
I
F
= 25A ，V
R
= 100V
的di / dt = 100A /毫秒
输入电容
V
GS
= 0 V,
输出电容
V
DS
= 25 V,
反向传输电容
F = 1.0MHz的
221西工业苑鹿园，NY 11729-4681电话（ 631 ） 586-7600传真（ 631 ） 242-9798
万维网 - http://www.sensitron.com电子邮件地址 - sales@sensitron.com
等级
栅极至源极电压
通态漏电流
漏电流脉冲
工作和存储温度
器件总功耗
热阻，结到外壳
所有评级ARE AT＆T
C
= 25℃ ，除非另有规定。
符号
V
GS
I
D25
I
DM
T
J
/T
英镑
P
D
R
JC
分钟。
-
-
-
-55
-
-
200
-
2.0
26
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
32
-
-
18
15
72
16
-
400
4400
800
280
马克斯。
20
50
200
+150
460
0.27
-
0.045
4.0
-
200
1000
100
-100
25
20
90
25
1.5
-
-
单位
伏
安培
安培
C
瓦
° C / W
伏
W
伏
S(1/W)
mA
nA
纳秒
-
-
-
伏
纳秒
pF
