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操作模式
表4 。
写模式AC特性
M48T128Y
符号
参数
(1)
民
t
AVAV
t
AVWL
t
AVEL
t
WLWH
t
ELEH
t
WHAX
t
EHAX
t
DVWH
t
DVEH
t
WHDX
t
EHDX
t
WLQZ(2)(3)
t
AVWH
t
AVEH
写周期时间
地址有效到写使能低
地址有效到芯片使能低
写使能脉冲宽度
芯片使能低到芯片使能高1
写使能高到地址转换
芯片使能高到地址转换
输入有效到写使能高
输入有效到芯片使能高
写使能高到输入转换
芯片使能高到输入转换
写使能低到输出高阻
地址有效到写使能高
地址有效到芯片使能高
60
60
5
70
0
0
50
55
5
10
30
30
5
10
25
–70
最大
M48T128Y ， M48T128V
M48T128V
–85
民
85
0
0
60
65
5
15
35
35
5
15
30
70
70
5
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
t
WHQX(2)(3)
写使能高到输出转换
1.有效的环境工作温度：T已
A
= 0至70℃ ; V
CC
= 4.5 5.5 V或3.0至3.6 V （除非
说明） 。
2. C
L
= 5 pF的。
3.如果E同时变为低电平用W变为低电平时，输出保持在高阻抗状态。
2.3
数据保持方式
凭有效V
CC
应用中， M48T128Y / V操作为常规单字节宽静态
内存。如果电源电压衰减时， RAM会自动掉电取消选择，写
保护自己当V
CC
属于内伏
PFD
（最大值） ，V
PFD
（分钟）窗口。所有输出
成为高阻抗，并且所有的输入都被视为“不关心”。
注意：
在写周期，电源故障可能在当前位置寻址损坏的数据，
但不危及RAM的其余内容。在低于V的电压
PFD
（分钟），则
用户可以放心的存储器将是在写保护状态，设置在V
CC
下降时间
不大于吨以下
F
。该M48T128Y / V可对V瞬态噪声尖峰回应
CC
那
在设备采样V时将手伸入窗口取消
CC
。因此，
建议的电源线中的去耦。
当V
CC
低于V
SO
时，控制电路转换的电源内部电池
保护数据与供电的时钟。内部能量源将保持在数据
M48T128Y / V为至少10年的在室温下的累积时间。如
系统功率升至高于V
SO
时，电池被断开，并且电源是
切换到外部V
CC
。取消持续吨
REC
经过V
CC
达到V
PFD
（最大值）。
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文档编号5746第六版
