飞思卡尔半导体公司

技术参数

文档编号： MRF9060N

启示录13 ， 2009年6月

射频功率场效应晶体管

N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET

不推荐用于新设计

在945 MHz时， 26伏典型性能

输出功率 - 60瓦PEP

功率增益 - 18.0分贝

效率 - 40 ％ （二声调）

IMD - - 31.5 dBc的

能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 26伏直流电， 945兆赫， 60瓦CW

输出功率

特点

优良的热稳定性

特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数

集成ESD保护

200℃有能力塑料包装

后缀表示铅 - 免费终结。符合RoHS 。

TO - 270 - 2可在磁带和卷轴。 R1每24毫米后缀= 500单位，

13英寸的卷轴。

945兆赫， 60 W， 26 V

横向N - CHANNEL

宽带

RF功率MOSFET

案例1265年至1209年，风格1

TO - 270 - 2

塑料

表1.最大额定值

等级

漏 - 源极电压

栅 - 源电压

器件总功耗@ T

C

= 25°C

减免上述25℃

存储温度范围

工作结温

符号

V

DSS

V

GS

P

D

T

英镑

T

J

价值

- 0.5, +65

- 0.5, + 15

223

1.79

- 65 + 150

200

单位

VDC

VDC

W

W / ℃，

°C

°C

表2.热特性

特征

热阻，结到外壳

符号

R

θJC

价值

(1)

0.56

单位

° C / W

表3. ESD保护特性

测试条件

人体模型

机器型号

充电器型号

类

1 （最低）

M2 （最低）

C6 （最低）

表4.湿度敏感度等级

测试方法

每JESD22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020

等级

3

封装峰值温度

260

单位

°C

1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF

计算器按照产品。

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MRF9060NR1

1

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司

不推荐用于新设计

设计用于frequen-宽带商业和工业应用

连锁商店最高到1000 MHz 。该装置的高增益和宽带性能

使其非常适用于大信号，在26伏的共源放大器应用

基站设备。

MRF9060NR1