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SBAS483F - 2009年11月 - 修订2010年10月
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
功能框图
DDR LVDS
接口
AVDD
AGND
DRVDD
DRGND
CLKP
CLOCKGEN
CLKM
CLKOUTP
CLKOUTM
D0_D1_P
D0_D1_M
D2_D3_P
D2_D3_M
低延时模式
（默认值复位后）
INP
INM
采样
电路
12-Bit
ADC
DDR
串行器
D4_D5_P
D4_D5_M
D6_D7_P
D6_D7_M
D8_D9_P
D8_D9_M
VCM
参考
控制
接口
D10_D11_P
D10_D11_M
常见
数字化功能
OVR_SDOUT
ADS4129
SEN
RESET
DFS
图1. ADS412x框图
2
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SCLK
OE
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