初步技术信息
POLAR
TM
功率MOSFET
HiPerFET
TM
N沟道增强模式
额定雪崩
快速内在二极管
IXFR40N90P
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
t
rr
=
=
≤
≤
900V
21A
230mΩ
Ω
300ns
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
A
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
V
ISOL
F
C
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25° C到150° C，R
GS
= 1MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
, V
DD
≤
V
DSS
, T
J
≤
150°C
T
C
= 25°C
最大额定值
900
900
±
30
±
40
21
80
20
1.5
15
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
°C
V~
N /磅。
ISOPLUS247
E153432
孤立的标签
G =门
S =源
D
=漏
FEARURES
硅芯片上直接键合铜
（DCB ）底物
隔离安装面
2500V电气隔离
快速内在二极管
额定雪崩
低封装电感
优势
最大无铅焊接温度的
塑料机身10秒
50/60赫兹， RMS 1分钟
安装力
300
260
2500
20..120/4.5..27
5
g
低栅极驱动要求
高功率密度
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0V时，我
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
V
GS
=
±
30V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0V
V
GS
= 10V ，我
D
= 20A ，注1
T
J
= 125°C
特征值
分钟。
典型值。马克斯。
900
3.5
6.5
±
100
V
V
nA
应用范围：
开关模式和谐振模
电源
DC- DC转换器
激光驱动器
AC和DC马达驱动器
机器人和伺服控制
50
μA
3.5毫安
230 mΩ
2008 IXYS公司，保留所有权利。
DS100063(10/08)
