SMD型

产品speci fi cation

NDS356P

概述

这些P沟道逻辑电平增强型功率

场效应晶体管都采用飞兆半导体生产的

专有的，高密度， DMOS技术。这

非常高密度的工艺特别适合于

最大限度地减少通态电阻。这些设备是

特别适用于低电压应用，如

笔记本电脑的电源管理，便携式

电子和其它电池供电的电路，其中

快高侧开关和低线功率损耗是

需要在一个非常小外形表面安装封装。

特点

-1.1 A， -20V 。

DS （ ON）

= 0.3

@ V

GS

= -4.5V.

采用铜引线框架的专利包装设计

优异的热和电性能。

高密度电池设计极低R

DS （ ON）

.

呈导通电阻和最大直流电流

能力。

紧凑的工业标准SOT- 23表面贴装

封装。

_______________________________________________________________________________

D

G

S

绝对最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

P

D

T

J

,T

英镑

参数

漏源电压

T

A

= 25 ° C除非另有说明

NDS356P

-20

± 12

（注1A ）

单位

V

V

A

栅源电压 - 连续

最大漏极电流

- 连续

- 脉冲

最大功率耗散

（注1A ）

（注1B ）

±1.1

±10

0.5

0.46

-55到150

W

工作和存储温度范围

°C

热特性

R

θ

JA

R

θ

JC

热阻，结到环境

（注1A ）

250

（注1 ）

° C / W

° C / W

热阻，结到外壳

75

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

1第3