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LM3150
SNVS561D - 2008年9月 - 修订2011年3月
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接线图
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VCC
VIN
EN
FB
SGND
SS
罗恩
EP
保护地
LG
BST
HG
SW
SGND
ILIM
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图1. TSSOP -14
引脚说明
针
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2
3
4
5,9
6
7
8
10
11
12
13
14
EP
名字
VCC
VIN
EN
FB
SGND
SS
罗恩
ILIM
SW
HG
BST
LG
保护地
EP
描述
电源电压FET
DRIVERS
输入电源电压
启用
反馈
信号地
软启动
导通时间控制
电流限制
开关节点
高侧栅极驱动器
连接的引导
电容
低侧栅极驱动器
电源地
裸露焊盘
功能
名义上调节到5.95V 。连接一个1.0 μF至4.7 μF的去耦电容
此引脚接地。
电源引脚的器件。标称输入电压范围为6V至42V 。
以使IC中的逻辑高信号施加到该引脚大于1.26V典型或离开
浮动。要禁用部分，地面的EN引脚。
内部连接到调节，过电压，和短路比较器。该
调节设置为0.6V ，在这个引脚。连接之间的反馈电阻分压器
输出和接地来设置输出电压。
地上所有的内部偏置和参考电路。应连接到保护接地在
单点。
内部7.7 μA的电流源充电的外部电容来提供软启动
功能。
从车辆的外部电阻到该引脚设置导通时间的高侧开关。
监测电流通过低侧开关和触发限流操作，如果
电感谷值电流超过由R设定用户定义的值
LIM
和感
目前，我
LIM- TH
在操作过程中采购了该引脚。
开关控制器和高栅极驱动器降低电源轨的脚。升压电容也
连接该引脚和BST引脚之间
栅极驱动信号给高侧NMOS开关。高边栅极驱动电压为
通过之间的BST引脚和SW引脚的差分电压供电。
高栅极驱动器上的电源轨。从SW引脚连接一个0.33 μF - 0.47 μF电容
该引脚。高边开关的关断时间在内部二极管充电电容。办
不连接到外部电源轨。
栅极驱动信号到低侧NMOS开关。低侧栅极驱动电压为
由VCC供电。
同步整流MOSFET的源极连接。配合电源地平面。应
被捆绑至SGND在单个点。
裸露的芯片附着垫应直接连接到SGND 。也可以用来帮助
散热出的IC 。
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
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