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LM3150
SNVS561D - 2008年9月 - 修订2011年3月
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对于这种设计的前馈电容器将用于帮助减小输出纹波。
ESR
最大
= （ 80 mV的X 1.65 μH ×1） / 5.7 V微秒
ESR
最大
= 23 m
最小的ESR必须满足以下两个条件：
ESR
民
≥
（ 15毫伏x长x一
f
） / ET
ESR
民
≥
[ ET / （V
IN
- V
OUT
） ]× （A
f
/ C
O
)
ESR
民
≥
（ 15 mV的X 1.65 μH ×1） / 5.7 V微秒= 4.3毫欧
ESR
民
≥
[ 5.7 V ？S / （ 12 - 3.3 ） ]× （ 169分之1 μF ） = 3.9毫欧
根据以上标准， 2 150 μF聚合物铝电容器用ESR = 12 mΩ的每一个有效
ESR在6毫欧的并联松下之所以选择。该产品编号为EEF - UE0J101P 。
6.确定使用前馈电容器
从第5步中选择ESR电容足够小，我们应该用一个前馈电容器。这是
由下式计算：
C
ff
=
V
OUT
V
IN-分钟
架F
s
x
R
FB1
+ R
FB2
R
FB1
个R
FB2
C
ff
=
3.3V
4.99 k: + 22.6 k:
x
= 269 pF的
6V ×500千赫4.99 K： X 22.6 K：
令C
ff
= 270 pF的，它是下一个最接近的标准值。
7. MOSFET和R
LIM
选择
该LM3150可驱动N沟道MOSFET 。对于24V的最大输入电压，我们应该选择
N沟道MOSFET与一个最大漏源电压V
DS
大于1.2× 24V = 28.8V 。用场效应管
最大V
DS
30V的将是第一个选项。合并总栅极电荷Q
G总和
高侧和低侧的
场效应管应满足下式：
Q
G总和
≤
I
VCCL
/ f
s
Q
G总和
≤
65毫安/ 500千赫
Q
G总和
≤
130 NC
在那里我
VCCL
是VCC的最小电流限制，在整个温度范围内，在指定的
电动
特征
表。 MOSFET的栅极电荷Q
g
从阅读的V云集
GS
VS Q
g
的曲线
MOSFET数据表在V
GS
= 5V的高侧，M1的MOSFET和V
GS
= 6V时的低侧，M2
MOSFET。
瑞萨MOSFET RJK0305DPB有10 NC中的栅极电荷在V
GS
= 5V ， 12 NC在V
GS
= 6V 。这
用于高侧中，M1组合栅极电荷和低侧，M2的MOSFET 12 NC + 10 NC = 22 NC小于130
NC计算Q
G总和
.
所计算出的MOSFET功耗必须小于最大允许的功率耗散， PDMAX ，如
在MOSFET数据表中指定。该FET功率的近似计算所消耗的高侧的钯，
边和低边FET由下式给出：
高边MOSFET
Pcond = I
OUT
x
R
DS （ ON）
x深
PSW =
8.5
6.8
1
+
X V
in
X我
OUT
X Q
gd
架F
s
x
VCC - Vth的Vth的
2
2
PDH = Pcond + PSW
Pcond = 12× 0.01× 0.275 = 0.396W
PSW =
8.5
6.8
1 ×12× 12× 1.5 NC ×500千赫X
+
= 0.278W
6
±
2.5 2.5
2
2
PDH = 0.396 + 0.278 = 0.674W
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