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LTC3850/LTC3850-1
应用信息
虽然在电路中产生的所有耗能元件
损失，四个主要来源通常占多数的
在LTC3850电路损失： 1 ） IC V
IN
目前， 2 ） INTV
CC
稳压器电流， 3 ）I
2
损失， 4 ）顶边MOSFET
转换损耗。
1. V
IN
电流的直流电源的电流给定中
电气特性表，其中不包括
MOSFET驱动器和控制电流。 V
IN
目前典型
美云产生很小（ <0.1 ％）的损失。
2. INTV
CC
电流MOSFET驱动器的总和与
控制电流。 MOSFET驱动器目前的结果
从开关电源的栅极电容
的MOSFET。每次一个MOSFET的栅极，从切换
低到高再低，充电dQ的移动数据包
从INTV
CC
到地面。由此产生的DQ / DT是一种电流
租出去的INTV
CC
这通常比大得多
控制电路的电流。在连续模式下，我
GATECHG
= F （Q
T
+ Q
B
） ，其中Q
T
和Q
B
是的栅极电荷
顶面和底面边MOSFET 。
供应INTV
CC
通过EXTV电源
CC
从输出
把衍生源将缩放V
IN
电流要求
对于由（占空比因子的驱动器和控制电路
周期） / （效率） 。例如，在20V至5V应用
INTV和灰， 10毫安
CC
目前的结果在大约
第五2.5毫安
IN
电流。这减少了中间的电流损失
从10 ％以上（如果驾驶员被直接供电
从V
IN
）到只有几个百分点。
3. I
2
损失由的直流电阻预测
保险丝（如果使用的话）时，MOSFET ，电感器，电流检测电阻。
在连续模式下，平均输出电流FL OWS
通过L和R
SENSE
但之间的“斩波”
顶边MOSFET和同步MOSFET 。如果
两个MOSFET具有近似相同的R-
DS （ ON）
,
然后一个MOSFET的电阻值可以简单地是
求和与L和R的电阻
SENSE
获得
I
2
损失。例如，如果每个R
DS （ ON）
=为10mΩ ，R
L
=为10mΩ ，R
SENSE
= 5mΩ的，则总电阻是
25MΩ 。这导致的损失为2 ％至8％
随着输出电流增加时，从图3A至15A为
5V输出，或3 ％ 12 ％的损失为3.3V输出。
效率变化为V的平方成反比
OUT
对于
相同的外部元件和输出功率电平。该
越来越低的输出电压组合效应
和所要求的高性能数字更高的电流
系统不翻倍，但翻两番的重要性
损失方面，在开关稳压器系统！
4.转换损耗仅适用于上部MOSFET （S ）
当在高工作成为唯一显着的
输入电压（典型地15V或更高）。过渡
损耗可以从公式估算：
过渡损耗= （ 1.7 ）V
IN2
I
O（最大值）
C
RSS
f
其他“隐藏”的损失，如铜走线和内部
电池电阻可以占到额外的5 ％至
10 ％的效率降低便携式系统。这是很
重要的过程，包括这些“制度”层面的损失
设计阶段。内置电池和保险丝电阻
损耗可以通过确保C作最小化
IN
有
足够的电荷存储和非常低的ESR在开关
荷兰国际集团的频率。 25W的电源通常需要
最小20μF的电容来对具有40μF
最大20MΩ来ESR为50mΩ 。该LTC3850
两相体系结构通常半部该输入电容
要求在同类竞争解决方案。其他损失
包括在死区时间肖特基导通损耗
和电感器的磁芯损耗一般占不到
2 ％的总附加损耗。
检查瞬态响应
稳压回路响应可通过观察被检查
负载电流的瞬态响应。开关稳压器
需要几个周期，在DC的步骤（阻性）作出回应
负载电流。当负载阶跃时，V
OUT
班由
相当于ΔI
负载
（ESR ），其中， ESR是有效
的C串联电阻
OUT
. I
负载
同时开始充电或
放电
OUT
产生反馈误差信号，即
强制调节以适应当前的变化，
返回V
OUT
其稳态值。在此恢复
时间V
OUT
可过度超调监控或
响，这表明一个稳定性的问题。该
在我可用性
TH
针不仅可以让优化
控制回路的行为，但也提供了一个直流耦合，
交流滤波闭环回路响应的测试点。直流一步，
上升时间和稳定在这个测试点真实地反映了
闭环回路响应。假设主要是第二
订单系统，相位裕度和/或阻尼因子可
使用过冲看到在这个比例估计
38501fc
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