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LT3757/LT3757A
应用信息
电路板布局
该LT3757的高速运转需要谨慎
注意电路板布局和元件布局。该
包装的裸露焊盘是唯一的GND端子
在IC ，并且是用于热管理的重要
IC 。因此，关键的是要实现良好的电和
暴露焊盘和接地之间的热接触
平面板。对于LT3757提供了完整的输出
电力，当务之急是良好的热路径是亲
单元提供了消散在包装内所产生的热量。
建议在多个过孔的印刷电路
板用于将热传导远离IC和进
铜层尽可能多的领域成为可能。
为了防止辐射和高频共振概率
题，连接部件的合理布局
IC是必不可少的，尤其是具有较高的双电源路径/
DT 。下面的高di /不同的拓扑DT环
应保持尽可能紧，以减少电感
铃声：
在升压配置中，高di / dt的循环包含
输出电容器，感测电阻器，功率
MOSFET和肖特基二极管。
在反激式结构，高di / dt的主回路
包含输入电容器，初级绕组，所述
功率MOSFET和所述传感电阻器。高di /
DT二次回路中包含的输出电容，
次级绕组与输出二极管。
在SEPIC配置中，高di / dt的循环包含
功率MOSFET ，检测电阻，输出电容，
肖特基二极管与耦合电容器。
在反相配置中，高di / dt的循环包含
功率MOSFET ，检测电阻器，肖特基二极管和
耦合电容。
C
IN
V
IN
C
C1
C
C2
R1
R2
R
SS
R
T
R
C
1
2
3
4
5
10
9
R3
R4
L1
LT3757
8
7
6
C
VCC
1
2
M1
8
7
6
5
R
S
过孔GROUND
飞机
3
4
C
OUT2
C
OUT1
D1
V
OUT
3757 F10
图11. 8V至16V输入， 24V / 2A输出升压转换器建议布局
3757afd
26
