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LT3757/LT3757A
应用信息
INTV
CC
稳压器旁路和操作
内部，低压差（ LDO ）稳压器产生
在7.2V INTV
CC
供应哪些权力栅极驱动器，
如示于图1，如果一个低输入电压操作
预期（例如，供给从一个锂离子电池的功率
或3.3V逻辑电源） ，低阈值MOSFET的应
被使用。该LT3757含有欠压锁定
比较A8和过压锁定比较
A9的INTV
CC
供应量。该INTV
CC
欠压（UV）
门限为2.7V （典型值） ，具有100mV的滞后，以
保证了MOSFET的具有足够的栅极驱动电压
之前打开。的LT3757内的逻辑电路是
从内部INTV也采用
CC
供应量。
该INTV
CC
过压（OV ）阈值被设定为17.5V
（典型值） ，以保护功率MOSFET的栅极。当
INTV
CC
低于欠压阈值，或上述中的OV阈值
老， GATE引脚将被迫GND和软启动
操作将被触发。
该INTV
CC
监管机构必须旁路至地二份
diately相邻的IC引脚以最小4.7μF cera-的
麦克风电容。好的旁路是必要的供给
由MOSFET栅极驱动器所需的高瞬态电流。
在实际应用中，多数对IC的电源电流是
用于驱动的功率MOSFET的栅极电容。
芯片上的功耗可以是一个显著的关注
当一个大的功率MOSFET被驱动，在高频
频率和在V
IN
电压高。它限制是非常重要的
通过选择MOSFET和/功耗
或操作频率，使得该LT3757不超过其
最高结温额定值。结温
perature牛逼
J
可以使用以下公式来估算：
T
J
= T
A
+ P
IC
θ
JA
Q
G
（ NC ）
该LT3757采用封装，带有裸焊盘的恩
hanced热传导。用适当的焊接的
裸露焊盘的封装和全面的底部
该设备下覆铜层，热电阻
(θ
JA
）约为43 ° C /为DD包和W 40 ° C / W
对于MSE包。对于环境温度板
T
A
= 70 ° C和125 ° C的最高结温，
最大余
DRIVE
(I
驱动器（MAX）中
）的DD包的可以
计算为：
I
驱动器（MAX）中
=
(T
J
T
A
)
1.28W
I
Q
=
1.6mA
(θ
JA
V
IN
)
V
IN
该LT3757具有一个内部INTV
CC
I
DRIVE
电流限制
功能来保护IC免受过度的片上功率
耗散。在我
DRIVE
电流限制减小作为V
IN
增加（见INTV
CC
最小输出电流与V
IN
图中的典型性能特性部分） 。
如果我
DRIVE
达到电流限值， INTV
CC
电压将下降
并且可以触发软启动。
基于前面的方程和INTV
CC
最低
输出电流与V
IN
曲线图中，用户可以计算出
最大的MOSFET栅极电荷的LT3757能驱动的
给定V
IN
和开关频率。最大的一个阴谋
Q
G
VS V
IN
在不同的频率，以保证最低
4.5V INTV
CC
示于图2 。
如图2所示，操作之间的折衷
频率和功率MOSFET的尺寸可以根据需要
为了维持一个可靠的集成电路的结温。
300
250
300kHz
200
150
100
1MHz
50
0
T
A
=环境温度
θ
JA
=结点至环境热阻
P
IC
= IC的功耗
= V
IN
(I
Q
+ I
DRIVE
)
I
Q
= V
IN
我的操作
Q
= 1.6毫安
I
DRIVE
=平均栅极驱动电流= F Q
G
F =开关频率
Q
G
=功率MOSFET的总栅极电荷
0
5
10
15
20
V
IN
(V)
25
30
35
40
3757 F02
图2.推荐最大Q
G
VS V
IN
在不同的
频率，以确保INTV
CC
高于4.5V
3757afd
10
