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MUN5314DW1,
NSBC114YPDXV6,
NSBC114YPDP6
互补的偏差
电阻晶体管
R 1 = 10千瓦， R2 = 47千瓦
NPN和PNP晶体管与单片
偏置电阻网络
这一系列的数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。偏置电阻
晶体管（BRT ）中包含一个单片偏压单个晶体管
网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和一
基极 - 发射极电阻。快速公交系统消除了这些个别
部件通过将它们集成到单个设备中。使用BRT的
能够显着降低系统成本和电路板空间。
特点
(3)
R
1
Q
1
Q
2
R
2
(4)
(5)
R
1
(6)
http://onsemi.com
引脚连接
(2)
R
2
(1)
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
S和NSV前缀为汽车和其他应用程序
需要独特的网站和控制变化的要求;
AEC - Q101标准，并有能力PPAP
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
(T
A
= 25C两极Q
1
（ PNP ） & Q
2
（ NPN型） ，除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
连续
输入正向电压
输入反向电压
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
V
IN（ FWD ）
V
在（转）
最大
50
50
100
40
6
单位
VDC
VDC
MADC
VDC
VDC
标记DIAGRAMS
6
SOT363
CASE 419B
1
14 M
G
G
SOT563
CASE 463A
1
14 M
G
G
SOT963
CASE 527AD
1
M
G
G
Q
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
14/Q
M
G
=具体设备守则
=日期代码*
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
订购信息
设备
MUN5314DW1T1G,
SMUN5314DW1T1G
NSBC114YPDXV6T1G
NSBC114YPDXV6T5G
NSBC114YPDP6T5G
包
SOT363
SOT563
SOT563
SOT963
航运
3000 /磁带&卷轴
4000 /磁带&卷轴
8000 /磁带&卷轴
8000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和
磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
2012年9月
第0版
1
出版订单号：
DTC114YP/D
