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NCP1216 ， NCP1216A
取决于你的系统，即当的启动顺序
你首先应用的电源IC 。相应的
瞬时故障期间由于输出电容充电
必须小于所需要的时间从12.2 V至放电
至10 V ，否则供应将无法正常启动。试验
包含在任一模拟或测量在实验室中如何
多的时间，系统需要在充分到达规
负载。让我们假设这个时间对应于6毫秒。
因此，一个V
CC
属于10毫秒的时间可能会好
拨以便不触发过载检测
电路。如果在对应的IC的消耗，包括
该MOSFET驱动器，建立为2.9毫安，我们可以计算出
使用下面的公式所需的电容：
Dt
+
DV ·C
i
（当量19）的
保护控制器对负尖峰
同
DV
= 2.2 V.然后进行通缉
Dt
30毫秒， C等于
39.5
mF
或68
mF
对于一个标准的值（包括
±20%
分散体） 。当发生过载情况时，IC
模块内部电路及其消耗下降至
350
mA
典型的。这种情况发生在V
CC
= 10 V ，它仍然
坚持，直到V
CC
达到5.6 V ：我们是在闭锁期。
再次，使用所选择的68
mF
和350
mA
当前
消费，这种闭锁阶段持续： 780毫秒。
如同在一个CMOS技术制造的任何控制器，它
是设计师的责任，以避免负面的存在
尖峰敏感的引脚。消极的信号有坏习惯
正向偏置的控制器基片和诱发不稳定
行为。有时，注射可以是如此强烈，以致
内部寄生可控硅被触发，编发
难以补救的损害的集成电路如果一个低阻抗路径是
V之间提供
CC
和GND 。如果电流检测引脚
这样的杂散信号的常座椅，所述高压管脚
也可以是在某些情况下，问题的根源。
在关断序列，例如当用户拔掉
电源，所述控制器通过它的V仍然馈送
CC
电容
并保持激活MOSFET的ON和OFF的峰值
电流限制由R
SENSE
。不幸的是，如果该质量
谐振网络的系数Q为L形成
p
和
C
体积
是低（例如MOSFET的
DSON
+ R
SENSE
是小的） ，
条件被满足，使电路谐振，从而
控制器负偏差。既然我们在谈论毫秒
脉冲时，注入的电荷的量，（Q = I * t）的，
立即锁存器是残酷的排放
它的V
CC
电容。如果V
CC
电容器具有足够的值，
其存储的能量损失的控制器。图26示出
在HV引脚出现一个典型的负射门，其中
残酷的V
CC
出院证明的闭锁。
0
V
CC
5 V / DIV
10毫秒/ DIV
V
LATCH
1 V / DIV
图26.负尖峰注意到在散装电容放置在关断序列
简单和廉价的治疗方法防止从
内部寄生SCR激活。其中之一包括在
串联在高电压引脚插入一个电阻
保持到最低的体积时的负电流
变为负值（图27） 。请注意，该负
穗被钳位到（-2 * V
f
）由于二极管电桥。另外，
此电阻器的功耗是因为极小
它只是在启动过程中不断升温。
另一种选择（图28）是由在布线的二极管
从V
CC
大容量电容，迫使V
CC
到达
VCC
ON
以前更快，从而停止开关活动
大容量电容被深度放电。为了安全
原因，两个二极管可串联连接。
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