SPN6336
双N沟道增强型MOSFET
描述
该SPN6336是双N沟道增强模式
功率场效应晶体管都采用高细胞产生
密度， DMOS沟道技术。这种高密度
工艺特别适合于减小导通状态
性，并提供出色的开关性能。
这些装置特别适用于低电压
应用，例如笔记本电脑的电源
管理和其它电池供电的电路，其中
高侧开关，低线功率损耗，并
需要抗瞬变。
应用
在笔记型电源管理
便携式设备
电池供电系统
DC / DC转换器
负荷开关
DSC
液晶显示器逆变器
特点
N沟道
20V/0.95A,R
DS （ ON）
=380m@V
GS
=4.5V
20V/0.75A,R
DS （ ON）
=450m@V
GS
=2.5V
20V/0.65A,R
DS （ ON）
=800m@V
GS
=1.8V
超高密度电池设计极低
RDS （ ON）
出色的导通电阻和最大DC
电流能力
SOT- 363 （ SC - 70-6L ）封装设计
引脚配置（ SOT - 363 / SC- 70-6L ）
最热
2011/11/22
版本。
1
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