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LM2745 ， LM2748
SNOSAL2E - 2005年4月 - 修订2013年4月
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I
RMS_RIP
= I
OUT
x
D(1 - D)
这里n是并联的电容器的数量， ESR为每个的等效串联电阻，和P
帽
为
消散在每个。因此，例如，如果我们使用24毫欧的只有一个输入电容器。
P
帽
=
（ 1.924A ） X 24 M：
1
2
2
P
帽
= 88.8毫瓦
输出电感损耗（P
IND
)
P
IND
= I
2OUT
X DCR
其中DCR是直流电阻。因此，例如
P
IND
= (4A)
2
×11毫欧
P
IND
= 176毫瓦
系统的总效率
P
总
= P
FET
+ P
IC
+ P
门
+ P
帽
+ P
IND
P
OUT
K
=
P
OUT
+ P
总
x 100%
K
=
4.8W
= 89%
4.8W + 0.6W
例如电路
V
CC
= V
IN
= 3.3V
D
1
C
BOOT
R
CC
R
引体向上
V
CC
Q1
+ C
IN
1,2
LM2745
HG
BOOT
I
SEN
LG
保护地
保护地
FB
R
C2
R
FB2
+
C
O
1,2
R
CS
L1
V
OUT
= 1.8V@2A
C
CC
CLK
C
CLK
R
FADJ
C
SS
SD
PWGD
频率/ SYNC
SS / TRACK
SGND
EAO
C
C1
C
C2
C
C3
R
FB1
R
C1
图33. 3.3V至1.8V @ 2A ，女
SW
= 300千赫
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