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LM2745 ， LM2748
SNOSAL2E - 2005年4月 - 修订2013年4月
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MOSFET栅极驱动器
的LM2745 / 8具有设计用于驱动N沟道MOSFET在同步模式下的两个栅极驱动器。注意
不同于大多数其他同步控制器， LM2745 / 8的自举电容器提供电源不仅
上MOSFET的驱动程序，但较低的MOSFET驱动器太（两位车手都以地为参考，即无
漂浮的驱动程序） 。
有两件事情必须牢记在这里。首先， BOOT引脚具有18V的绝对最大额定值。这必须
从未被超越，即使是瞬间。自举电容器连接到SW节点，峰值
电压上的引导销的印象是输入电压的总和（Ⅴ
IN
），加上横跨引导的电压
电容（忽略整个自举二极管的任何正向压降） 。自举电容被充电用
鉴于轨道（称为V
BOOT_DC
在这里）每当上MOSFET关断。这个轨道可以是相同的V
CC
或
可以是任何外部接地参考的直流电压。但是，投资者有选择这种引导DC时行使
铁路的BOOT引脚不被损坏。例如，如果所需的最大V
IN
为14V和V
BOOT_DC
选择
为相同的V
CC
，那么显然，如果在V
CC
铁路是6V ，在BOOT引脚的峰值电压为14V + 6V = 20V 。
这是不能接受的，因为它是在过量的引导销的等级的。 A V
CC
3V的将是在此可接受的
情况。或V
IN
范围必须相应地减小。还有衍生自举直流电压的选项
从另外一个3V的外部导轨，独立的V
CC
.
要牢记的第二件事情在这里是引导之间的低侧驱动器摆幅输出
V的直流电压水平
BOOT_DC
和接地，而V的高边驱动器摆动的输出
IN
+ V
BOOT_DC
和地面。为了充分保持高侧MOSFET上的需要时， MOSFET的栅极管脚电压必须
比它的瞬时源极引脚电压的量等于“米勒平台”更高。它可以显示
这高原等于所选择的MOSFET的阈值电压加上一个小的量等于木卫一/克。这里
Io是应用程序的最大负载电流，g是该MOSFET的跨导（通常约
100的逻辑电平器件） 。这意味着我们必须选择V
BOOT_DC
至少超过米勒平台的水平。
因此，这可能会影响外部MOSFET的阈值电压的选择，而这又可能
取决于所选择的V
BOOT_DC
轨。
迄今，在上面的讨论中，在整个自举二极管的正向压降已被忽略。但是，由于这
不影响驱动器的输出有所，这是一个好主意，包括这种下降在下面的实施例。
综观
典型用途
概略来说，这意味着在差分电压V
CC
- V
D1
，这是
电压自举电容充电到，必须始终大于的最大承受极限
上MOSFET的阈值电压。在这里， V
D1
是指自举二极管D1的正向电压降。
这可能对所用的最小输入电压和/或类型的MOSFET的限制。
一个基本的自举电路可采用一个肖特基二极管和一个小电容建造，如图
图25 。
该
电容C
BOOT
用来维持高端MOSFET栅极和源极，以控制之间有足够的电压
设备即使当顶部MOSFET导通时，其源已上升到输入电压电平。电荷泵
电路从V馈送
CC
，它可以在各种工作在3.0V至6.0V 。采用这种基本方法的电压
施加到两个高侧和低侧MOSFET的栅极为V
CC
- V
D
。这种方法效果很好，当V
CC
is
5V ± 10％，因为栅极驱动器将获取期间Ⅴ的最坏的情况下，至少4.0V的驱动电压的
CC -MIN
= 4.5V
和V
D- MAX
= 0.5V 。逻辑电平MOSFET一般指定其导通电阻在V
GS
= 4.5V 。当V
CC
=
3.3V±10 ％ ，在最坏的情况下，栅极驱动器可以去低至2.5V 。逻辑电平MOSFET不会指定转
上，或者可以具有的导通电阻要高得多，在2.5V 。子的逻辑电平MOSFET ，通常在V指定
GS
= 2.5V,
将工作，但更昂贵，并且趋向于具有导通电阻高。该电路在
图25
非常适用于
输入电压范围从1V至14V和V
CC
= 5V ±10 ％ ，因为驱动电压只取决于V
CC
.
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