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UM10398

LPC111x / LPC11Cxx说明书

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12.1

莫迪科幻阳离子：

日期

20130807

描述

LPC111x / LPC11C1x / LPC11C2x说明书

从社署的功能列表中删除指令断点。看

第27.2节。

IRQLATENCY寄存器中添加SYSCON块。看

表35 。

在C_CAN CANCLKDIV的复位寄存器值改变为0x1 ，见

表275 。

使用ISP的大小更新RAM 。看

第26.4.8 ，第26.4.9 。

SSEL1_LOC寄存器描述纠正。看

表152 。

添加LPC1115FET48 。

编辑更新。

更新Go命令

第26.5.8 。

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BOD 0级复位加。看

表33 。

在UART LSR的TEMT位的描述寄存器更新。看

表196 。

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功能SSEL1加入到引脚PIO2_0表170和图28 。

BOD 0级为复位和中断清除。

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在表161和图18 LPC1112FHN24引出线校正。

BYPASS位的描述如表12 “系统振荡器控制寄存器（ SYSOSCCTRL纠正，

地址0x4004 8020 ）位描述“ 。

LPC111x / LPC11C1x / LPC11C2x / LPC11D14说明书

LPC11D14 / PCF8576D方框图更新（参见图5） 。

有更新的IAP调用中断使用说明（见26.4.7 ） 。

SYSRSTSTAT寄存器访问改变为R / W （表7） 。

对于FREQSEL位在WDTOSCCTRL寄存器校正频率的值（见表13）。

图9更新（ RESET改为内部复位） 。

在复制内存复制的字节数的限制，以闪烁的ISP和不足的部分IAP命令

4 KB的SRAM （见表381和表396 ） 。

图14更新伪开漏方式。

部分LPC1112FHN24 / 202添加。

零件LPC1110FD20增加部分的ID ， LPC1111FDH20 / 002 ， LPC1112FD20 / 102 ，

LPC1112FDH20 / 102 ， LPC1112FDH28 / 102 ， LPC1114FDH28 / 102 ， LPC1114FN28 / 102 。

通过引导加载程序使用的SRAM中指定的26.3.1节。

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