PD - 95404
IRL1104PbF
逻辑电平栅极驱动
l
先进的工艺技术
l
超低导通电阻
l
动态的dv / dt额定值
l
175 ° C工作温度
l
快速开关
l
全额定雪崩
l
LEAD -FREE
描述
l
HEXFET
功率MOSFET
D
V
DSS
= 40V
G
S
R
DS （ ON）
= 0.008
I
D
= 104A
第五代HEXFET
从功率MOSFET
国际整流器利用先进的加工
技术，以实现尽可能低的导通电阻
每硅片面积。这样做的好处，结合快速
开关速度和坚固耐用的设备的设计，
HEXFET
功率MOSFET是众所周知的，提供了
有一个非常有效的装置，设计用于在使用
各种各样的应用。
在TO- 220封装普遍首选的所有
商业工业应用的功率耗散
水平到约50瓦。在低热阻
和TO- 220封装低的成本导致其广泛
接受整个行业。
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲？
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝。
TO-220AB
绝对最大额定值
马克斯。
104
74
416
167
1.1
±16
340
62
17
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
分钟。
––––
––––
––––
典型值。
––––
0.50
––––
马克斯。
0.9
––––
62
单位
° C / W
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6/17/04
