VS- 21DQ04 ， VS- 21DQ04 -M3
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威世半导体
电气规格
参数
符号
2A
最大正向电压降
V
调频（1）
4A
2A
4A
最大反向漏电流
典型结电容
典型的串联电感
记
(1)
脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2 ％
I
RM （ 1 ）
C
T
L
S
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
测试条件
值
典型值。
0.49
0.60
0.42
0.56
0.01
5.2
130
8.0
马克斯。
0.55
0.65
0.5
0.62
0.50
10
mA
pF
nH
V
单位
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
V
R
= 5 V
DC
（测试信号范围100 kHz至1 MHz）的25℃
测量导致引线5毫米封装体
热 - 机械特性
参数
最高结温和存储
温度范围
最大热电阻，
结到环境
典型热阻，
交界处领导
大约重量
打标设备
记
(1)
符号
T
J
(1)
,
测试条件
值
- 40150
单位
°C
T
英镑
直流操作
无散热片
直流操作
见图。 4
R
thJA
R
thJL
100
° C / W
25
0.33
0.012
g
盎司
21DQ04
机箱样式DO - 204AL （ D- 41 ）
dP
合计
1
------------ ------------- <热失控条件对自己的散热器二极管
-
-
dT
J
R
thJA
修订： 21 09月11
文档编号： 93279
2
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