PD784031
CMOS设备的注释
1 ESD防护措施用于半导体
注：强电场作用下，当暴露于一个MOS器件，可引起破坏的
栅氧化层，从而影响设备的运行。必须采取措施
停止产生静电尽可能地和快速地消散
这一次，当已经发生了。环境控制一定要充足。当
它是干的，应当使用增湿器。建议避免使用绝缘体
因为它们容易产生静电。半导体器件必须被存储和
在防静电容器运输，静电屏蔽袋或导电
材料。所有的测试和测量工具包括工作台和地板应
接地。操作者应使用防静电腕带接地。 Semiconduc-
器设备不得用手直接接触。类似的预防措施需要
应采取的PW板就可以了半导体器件。
2操作处置未使用的输入引脚的CMOS
注： CMOS设备的输入端未连接可导致误操作。如果没有
连接被设置到输入引脚，它可能是一个内部输入电平
可能由于噪声等产生的，从而导致误操作。 CMOS器件
操作特性与Bipolar或NMOS器件。 CMOS器件的输入电平
必须是固定的高或低的通过使用上拉或下拉电路。每一个未使用
引脚应连接到V
DD
或GND之间的电阻，如果它被认为是有
被输出引脚的可能性。所有处理与未使用的引脚必须
通过设备和相关的规范说明设备来判断设备。
3初始化之前的状态的MOS器件
注：上电并不能确定MOS设备的初始状态。生产
MOS的方法不限定该装置的初始操作状态。
紧接之后的电源被接通时，具有复位功能的设备
还没有被初始化。因此，上电不能保证输出引脚
平，I / O设置和寄存器的内容。设备直到初始化
接收复位信号。复位操作后必须立即执行
电具有复位功能的设备。
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